TSV전극과 도금기술

전문가 제언

○ 제한된 공간에서 대용량의 데이터를 국내외에 고속으로 송신하기 위한 수㎓대의 스마트 폰, 스마트 TV, IT정보통신용 제품과 함께 반도체, 인쇄회로기판 실장도금기술 개발이 활발하다. TSV전극은 차세대 메모리 Via Hole전극으로서 종래의 습식Cu전기도금기술을 적용하고 있다.

○ 국내외 반도체 제조사는 미세도금공정, 수율과 가격에 초점을 두고, 보다 많은 칩을 적층하고, 신호를 고속송신 할 수 있는 도금기술을 개발경쟁이 치열하다. 2011년 삼성전자는 TSV적층기술을 D램 시제품에 적용함으로써 스마트제품 도금기술을 개발하고 있다. TSV를 비롯하여 종래의 실리콘 반도체부품은 Sputtering도금이 주류를 이루어 왔었다.

○ 최근 차세대 OLED 유기박막 등 도금부품은 형상이 복잡해지고 나노미터 수준으로 미세회로패턴이 요구되면서부터 습식Cu전기도금의 중요성을 인식하게 되었다. Via Hole내의 균일도금과 Hole충전에는 첨가제 효과를 이용한 습식전기도금이 PVD나 CVD, Sputtering보다 유리하기 때문이다. Via크기나 형상변화에 따른 습식도금기술의 중요성이 요구되는 가운데 억제제, 평활제의 적용은 필수적이다.

○ TSV도금기술에 관한 연구는 일본뿐만 아니라 최근 독일 Alchimer 사는 뮌헨 IEEE 3D 시스템 통합 컨퍼런스(3DIC)에서 TSV에 절연체 장벽과 도금Seed층에 관한 연구를 발표하였다. 습식Cu전기도금을 적용하여 절연층인 폴리머와 금속의 균일석출의 신뢰성을 높인 전기화학석출기술이다. TSV전극에 습식Cu전기도금기술을 적용하여 Via Hole형상 비도 종래에 비해 엄청난 품질향상을 하였고 생산성을 66%향상시켰다.

○ 반월공단의 Korea Circuit사에서는 1992년부터 인쇄회로기판과 반도체를 융합한 실장용 Wire Bonding기술개발과 함께 도금과 에칭, 드라이필름과 메탈Resist를 사용하여 Cu전기도금기술을 적용하고 있다. 향후 국내에서도 황산동 첨가제 개발과 함께 TSV전극도금의 반도체 실장도금기술과 함께 미세화개발기술이 경쟁적으로 가속될 것으로 사료된다.

저자

Sei-ichi DENDA

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2011

권(호)

79(3)

잡지명

電氣化學および工業物理化學

과학기술
표준분류

재료

페이지

178~182

분석자

김*상

분석물

• TSV전극과 도금기술.pdf [255,137 byte]

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