○ DRAM, SRAM, NAND 플래시 메모리 등 현재의 메모리 기술은 16㎚ 이하로 비례 축소하기에는 많은 어려움이 있다. 1990년대 중반 이후 저항변화 RAM 범주에 속하는 새로운 비휘발성 메모리 기술들이 개발되고 있으며, 이에는 강유전체 게이트 FET, 나노전자기계 RAM, 스핀전달토크(STT) MRAM, 나노이온 또는 산화-환원반응(Redox)메모리, 나노선 상변화 메모리, 전자효과 메모리(전하트랩, 모트전이, 강유전체 장벽효과 등), 거대분자 메모리, 분자 메모리 등이 있다.
○ 2009년 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)연차보고서에 의하면, 상용화된 메모리는 DRAM, SRAM, 부유게이트 NOR 및 NAND 플래시이며, 시제품 단계에 있는 것은 전하 트랩형 메모리, FeRAM(Ferroelectric RAM), MRAM, PCM이다. 2009년 ITRS는 종전의 MRAM의 발전된 버전인 STT-MRAM과 Redox RAM을 실용화의 가능성을 가진 후보에 포함시켰으며, 2010년에는 상용화를 촉진하기 위한 연구 개발에 추가적인 관심을 가질 것을 권고했다.
○ STT-MRAM은 수십 나노미터 크기의 자석에 전압을 인가할 때 자화 방향이 바뀌는 스핀전달토크를 이용한 것으로서, 플래시 메모리와 DRAM을 대체할 차세대 메모리로 간주된다. 삼성/하이닉스 연합, 도시바/ NEC/후지쓰 연합, IBM/TDK 연합, 퀄컴, 인텔 등 많은 반도체 및 IT 업체가 개발하고 있다. 2009년 10월, 고려대 신소재공학과 이경진 교수, 삼성전자 오세충 박사, 한국기초과학연구원 박승영 박사, 포스텍 물리학과 이현우 교수 등 산학연 공동연구팀은 STT-MRAM의 상용화의 걸림돌인 고속기록 시 오작동을 양자효과 조절로 방지할 수 있는 획기적인 기술을 세계 최초로 개발하여 상용화의 가능성을 높였다.
○ 한양대 차세대메모리사업단(3차원 터널링 플래시 메모리, 유연유기 메모리, 고집적 저항변화소자, 고속/저전력 상변화소자), 한국과학기술원(고속/저전력 상변화소자), 광주과학기술원(ReRAM 소자), 서울대(3차원 터널링 플래시 메모리) 등 많은 학계에서 차세대 메모리에 대한 핵심 기술을 개발하고 있어 메모리 강국의 위치를 견고히 할 것으로 기대한다.
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