플래시 메모리 동향

전문가 제언

○ 최근 휴대형 정보기기들이 크게 보급되면서 작고 가벼우면서도 소비전력이 작은 대용량 기억장치에 대한 요구가 크게 늘고 있는 실정이다. 대용량 기억장치로는 기계적 구동방식을 사용하는 HDD 대신 반도체 소자인 NAND 플래시 메모리를 이용하는 SSD(Solid State Drive)가 주목을 받고 있다. 특히 최근 소자의 집적화 기술이 발전하면서 메모리 가격이 크게 떨어져 SSD의 출시속도가 더욱 빨라지고 있다.

○ 그러나 NAND 플래시 메모리의 반복 기록동작 횟수는 집적도를 높이기 위해 미세화 할수록 반복기록동작 횟수가 더욱 감소하여 데이터의 신뢰성에 문제가 야기된다. 또한 현재의 플래시메모리 셀은 미세화에 수반하여 필연적으로 발생하는 원리적인 문제 때문에 30㎚ 이하는 어려운 문제점이 있다.

○ 따라서 이러한 문제를 해결할 한 가지 방법으로 강유전체 게이트 FET (FeFET)를 NAND 플래시메모리 셀에 이용하는 강유전체 NAND (Fe-NAND) 플래시메모리가 제안되고 있다. 이것이 실현되면 현재의 NAND 플래시메모리에 비해 반복기록동작 횟수를 획기적으로 향상시킬 뿐 아니라 기존의 플래시메모리와 같이 플로팅게이트가 존재하지 않기 때문에 인접메모리 셀 사이의 간섭현상이 발생하지 않아 소자를 10㎚ 정도까지 미세화 할 수 있을 것으로 기대된다.

○ 국내의 경우 삼성전자가 세계시장에서 상당부분을 점유하고 있으며 플래시메모리의 주력으로 부상하고 있다. 국내시장은 삼성전자, LG전자가 메이저 공급업체로 시장을 점유하고 있고 바른전자, 디지웍스, FM 반도체 등이 시장에 완제품형 플래시메모리를 공급하고 있다. NAND 플래시는 삼성전자의 경우 이미 60㎚공정으로 전환해 타사보다 수율이 좋은 편이다. 그러나 차세대 플래시메모리 기술의 국제적 선점을 위해 기존 플래시메모리보다 미세화 되고, 가볍고, 고신뢰성의 저전력소모가 가능한 강유전체 메모리에 대한 국내 개발이 시급한 실정이다.

저자

Ken Takeuchi

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2010

권(호)

79(12)

잡지명

應用物理

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1065~1070

분석자

박*준

분석물

• 플래시 메모리 동향.pdf [239,427 byte]

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