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화학적으로 증폭된 포토레지스트 조성과 그의 응용

전문가 제언: ○ 최근 기술발전과 더불어 전자기기가 점점 소형화 및 고기능화 되어가고 있다. 전자기기를 고집적화 시키기 위해서는 반도체웨이퍼 등의 단위면적당 많은 패턴을 넣어야한다. 패턴을 미세화 시키기 위한 핵심기술인 포토레지스트개발에 많은 노력이 경주되고 있으며 포토레지스트도 발전을 거듭하고 있다.

○ 포토레지스트는 미세패턴을 형성할 수 있게 분해능이 높아야하고 초점심도가 크고 노광허용도가 높아야한다. 포토레지스트는 포지티브 레지스트와 네거티브 레지스트가 있으며 반응형태에 따라 가교 형, 분해 형, 변성 형으로 분류하기도 한다. 포토레지스트의 해상도를 높이기 위해 초기 436 nm(g선), 365 nm(i선)에서 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저까지 점점 짧은 파장의 광원들이 사용되고 있다.

○ 본 발명의 포토레지스트는 노볼락타입의 페놀수지와 산에 의해 절단될 수 있는 곁가지를 가지고 있는 아크릴계공중합체 및 PAG로 구성되어 있다. 본 발명의 특징은 아크릴계고분자가 두 종류의 단량체로부터 공중합 된 것으로 그 중 한 종류가 산에 의해 분해 될 수 있는 곁가지를 가진 단량체인 것이다. 본 발명 포토레지스트의 장점으로는 공정이 비교적 용이하고 코스트가 싸고 두꺼운 필름에 적용가능하다는 점이다.

○ IT산업의 기반인 반도체용 포토레지스트는 파장 ~157 nm의 레이저 광원(DUV; Deep Ultra Violet) 사용을 지나 플라스마광원(EUV; Extreme UV)을 사용하는 포토레지스트 개발단계에 까지 와 있다. EUV용 포토레지스트는 지금까지 사용해온 고분자가 아닌 저분자물질을 사용해야하며 이미 일본에서 개발완료단계에 있다고 알려져 있다.

○ 국내에서도 포토레지스트 및 DFR(Dry Film photoResist) 등이 대량생산되고 있고 기술수준도 상당한 수준에 도달되어 있다. 한국이 IT강국의 위치를 유지하기 위해서는 IT기술의 핵심인 포토레지스트분야의 기술발전이 요구된다. 현재까지의 미국, 일본 등이 원천기술을 개발하고 한국이 추월해가는 형태를 벗어나 한국이 앞서가는 기술개발이 필요하다.

저자: International Bisiness Machines Corporation
자료유형: 특허정보