차세대 메모리 기술 동향

전문가 제언

○ 현재 국내 범용의 모바일기기용 메모리 반도체 기술력은 플래시 메모리에 주력하고 있다. 이 연구에서 제시하고 있는 플래시 메모리를 대체할 수 있는 차세대 메모리 기술을 국내 산업계에 적용하기 위해서는 반도체 시료의 전위차 장벽의 높이/폭/셀 간 거리 등 나노결정의 물리적 특징들을 변화시켜 케리어의 평균 에너지를 증가시킬 수 있는 핵심기술을 개발할 필요가 있다.

○ 셀룰러폰, 스마트폰, PDA, PMP, MP3/4, DMB, WiBro(모바일WiMAX), Wi-Fi, 모바일IPTV, 넷북, 테블릿PC 및 GPS수신기 등 다종다양한 모바일기기들이 대중화되면서 비휘발성 메모리 및 배터리(2차 전지)의 수요가 크게 증가하고 있다. 이들 메모리의 대용량화 및 저 전력 소모와, 배터리의 고출력 및 소형경량화 등이 이슈로 등장하고 있다. 현재 모바일기기의 주 메모리 소재로 플래시 메모리가 주를 이루고 있으나 향후 이를 대체할 수 있는 상변화 메모리, 강유전성 메모리 및 자기메모리 등이 연구되고 있다. 따라서 국내 관련 업계도 이에 대한 연구개발에 주력할 필요가 있다.

○ 메모리 소자에서 열(heat) 발생을 줄이는 것은 매우 중요한 문제이다. 열전자 효과는 온도차를 전압차로, 전압차를 온도차로 변환시켜 열전자 물질의 양 끝단의 온도차에 의한 전압을 생성시킨다. 이 연구에서와 같은 nano 단위의 초 미세 스케일에서 본다면 이러한 온도차에 의해 하전입자의 이동이 곧 열에 인가된 전류로 나타나게 된다. 따라서 기록밀도/전력소모/전력밀도가 커지면서 메모리 소자의 동작에 따른 열발생도 커질 수 있어 이를 적절히 제어할 수 있는 기술이 필요하다.

○ 최근 삼성전자에서는 5.8F2의 셀 크기에 90㎚의 CMOS 공정기술을 이용한 512MB급 prototype 상변화 메모리 반도체를 개발하여 상용화를 추진하고 있다. 전압-시간에 대한 스위칭 동작성능을 보면 상변화 물질의 온도에 비례하는 전압을 펄스 형태로 인가함으로써 인가시간을 조절할 수 있는 특징이 있다. 이는 국내 기술력으로도 상변화 물질을 이용한 메모리 반도체의 제조 가능성을 시사하고 있어 주목받고 있다.

저자

Andy Chung, Jamal Deen, Jeong-SooLee, M Meyyappan

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

정보통신

연도

2010

권(호)

21

잡지명

Nanotechnology

과학기술
표준분류

정보통신

페이지

1~22

분석자

박*환

분석물

• 차세대 메모리 기술 동향.pdf [266,830 byte]

이미지변환중입니다.