비휘발성 반도체 메모리 기술현황

전문가 제언

○ 비휘발성 메모리는 우리가 일상생활에서 접할 수 있는 거의 모든 전자제품에 사용된다. 플래시메모리가 아주 광범위하게 사용되고 있지만 모든 응용분야에 다 적합한 것은 아니며, 다양한 요구조건에 대응하기 위해 새로운 형태의 메모리에 대한 연구 개발이 활발히 진행되고 있다.

○ 차세대 메모리의 원천기술 확보를 위한 세계 각국의 경쟁은 치열하다. 일본은 2007년부터 5년간 정부지원 하에 산·학·연 공동으로 차세대 고성능 초저소비전력 스핀소자 기반기술을, 미국은 DAPRA 프로젝트로 기업체를 지원해 스핀전달토크 MRAM 원천기술을 개발 중이다. EU는 정부출연 연구소와 기업체에서 스핀전달토크 MRAM, PRAM, ReRAM 재료 및 소자 원천기술을 집중적으로 연구 중이다.

○ 우리나라는 2004년부터 7년간의 사업으로 한양대 차세대메모리개발사업단에서 전국의 12개 대학 및 3개 출연 연구소가 참여하여 PRAM, ReRAM, 플렉서블유기메모리의 소자 및 재료를 개발해왔다. 또한 2009년부터 4년간의 사업으로 스핀전달토크형 MRAM 개발을 진행 중이다. 산업계에서는 삼성전자와 하이닉스가 참여하고 있다.

○ 한국과학기술원은 고속기록, 저전력 특성 및 신뢰성을 갖춘 1Gb급 이상의 PRAM 소자 제작기술을 개발하고 실용수준의 특성을 검증하는 연구를 진행하고 있다. 광주과학기술원은 ReRAM 소자의 개발 연구를 진행하고 있다. 단순한 단위소자 제작이 아닌 선택소자, 셀 어레이, 8인치 공정 등 시장을 선도해 나갈 수 있는 기술에 집중적인 연구를 진행, 우리나라가 차세대 플래시메모리 경쟁에서 우위를 점할 수 있는 기반을 조성했다. 서울대의 3차원 터널링 플래시메모리 개발팀은 기존의 플래시 메모리 기술의 연장선상에서 새로운 나노 플로팅 게이트, 터널링 밴드갭, 셀 소자 및 스트링의 구조를 변화시켜 실용성을 전제로 한 수백 기가바이트의 메모리 핵심기술을 개발하고 있다.

○ 차세대 메모리에 대한 원천기술의 조기 확보를 통해 국내 메모리 산업이 지속적으로 세계시장을 주도해 나갈 수 있기를 기대한다.

저자

Yoshihisa Fujisaki

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2010

권(호)

49

잡지명

Japanese Journal of Applied Physics (1.2 set)

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

10000101~10000114

분석자

송*택

분석물

• 비휘발성 반도체 메모리 기술현황.pdf [324,271 byte]

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