마이크로파 표면파 플라스마를 이용한 실리콘의 산화 · 질화

전문가 제언

○ 반도체 제조공정에서는 플라스마 응용공정이 약 60%를 차지하고 있으며 그 중요성이 점점 증가하고 있는데, 최근에는 평행평판 플라스마에서 실현할 수 없었던 낮은 전자온도와 높은 전자밀도의 플라스마가 마이크로파 표면파 플라스마를 이용하면 가능하므로 실리콘의 산화?질화 공정에도 저온 플라스마의 응용이 시도되고 있다.

○ 플라스마에 의한 산화?질화처리는 고온 열처리보다 공정 면에서 우위성을 갖고 있지만, 높은 이온조사에너지로 인한 손상과 금속오염의 문제로 지금까지 사용하지 못했다. 그러나 마이크로파 표면파 플라스마의 도입으로 플라스마 이온조사에너지를 저감시킬 수 있으므로, 실리콘의 산화?질화에 플라스마를 이용한 저온공정이 가능하게 되었다.

○ 마이크로파 표면파 플라스마의 이용으로 기존에 고온 열공정에서 얻는 산화막 이상의 산화막을 저온에서 형성하는 것이 가능하게 되었으며, 실리콘 결정의 면방위 의존성이 없는 산화도 가능하게 되었다. 특히 반도체 소자의 미세화에 따른 절연막의 박막화와 고유전율(High K) 재료 등 신재료의 도입 등에 따라 앞으로 플라스마의 저온공정에 대한 요구는 더욱 증가할 것으로 보인다.

○ 우리나라는 세계 1위의 반도체의 생산국으로 설계?제조기술은 세계를 선도하고 있지만, 제조장비의 설계?생산에서는 다른 선진국에 비해 현격한 기술 차이가 있는 것을 부인하기 어렵다. 따라서 반도체 소자의 설계?제조기술의 개발연구도 중요하지만 생산기술의 원천인 제조장비의 개발에 관련된 연구도 적극적으로 추진할 필요가 있다.

저자

YAMAMOTO Nobuhiko

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2011

권(호)

87(1)

잡지명

プラズマ核融合學會誌

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

4~8

분석자

이*순

분석물

• 마이크로파 표면파 플라스마를 이용한 실리콘의 산화 질화.pdf [352,108 byte]

이미지변환중입니다.