통신선로의 저잡음 및 선형성 기술

전문가 제언

○ 이 연구에서는 기존의 CMOS형 저 잡음 증폭기의 선형화 기술을 중심으로 통신선로의 선형화에 필요한 기술을 고찰하였다. 이 연구결과를 급속히 광대역/초고속화 되어가고 있는 국내 멀티미디어 통신환경에 적용하기 위해서는 다중 대역/다중 접속 규격, 광대역 송수신기 및 광대역 증폭기의 저 잡음화 및 선형화 방법에 대한 좀 더 깊이 있는 연구가 필요함을 시사하고 있다.

○ 이 기술의 핵심인 MOSFET형 공통 게이트 트랜지스터의 비선형성을 개선하기 위해서는 드레인-소스 간 전압과 게이트-소스 간 전압에 의해 제어되는 드레인-소스 간 전류원을 적절히 모델링 할 필요가 있다. 즉, MOSFET의 전기전도성과 드레인-소스 간 전압을 제어하여 신호의 왜곡성분을 제거할 수 있는 핵심기술이 필요하다.

○ BJT(양극 접합 형 트랜지스터)의 공통소스 증폭기는 단일 JFET(접합 형 트랜지스터)보다 큰 전류이득을 얻을 수 있으나, 상대적으로 전압이득은 낮은 편이다. 그러므로 입력신호원의 출력 임피던스가 매우 높은 광대역 멀티미디어 신호의 경우 높은 전류이득을 얻기 위해서는 JFET를 이용하는 것이 일반적이다. 따라서 JFET의 입력 바이어스 저항을 낮게 하여 선형성을 증가시키기 위해서는 게이트 단자에 유도되는 직류전압을 거의 0V로 유지하는 것이 필요하다.

○ 국내 유무선 통신환경에서 다중대역 LNA(저 잡음 증폭기)의 간섭을 최소화하고 높은 선택도를 유지하여 충분한 선형성을 얻기 위해서는 직렬 공진 형 공통 소스 접지 트랜지스터 쌍을 선택형 이중 밴드 LNA에 적용하는 구조설계가 필요하다. 이는 LNA를 동시에 서로 다른 주파수에서 구동하였을 때 나타나는 잡음지수의 악화를 방지하는 데에도 효과적이다.

저자

Heng Zhang, Edgar Sanchez-Sinencio

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

정보통신

연도

2010

권(호)

34(1)

잡지명

IEEE Transactions on Circuits and Systems

과학기술
표준분류

정보통신

페이지

1~15

분석자

박*환

분석물

• 통신선로의 저잡음 및 선형성 기술.pdf [408,097 byte]

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