OTFT(유기 박막 트랜지스터) 기술동향

전문가 제언

○ 이 연구의 핵심인 금속과 유기 반도체의 계면저항 특성을 향상시켜 전자 주입을 용이하게 하기 위해서는 전극의 표면을 개선하거나 새로운 전극 물질을 찾아내는 연구가 필요하다. 이는 비휘발성 메모리의 기술수명을 연장시키는 효과와 높은 신호전송 특성을 갖는 상변화 메모리 설계기술에도 적용될 수 있다. 아울러 디지털카메라/MP3플레이어/USB메모리/스마트폰 등으로 대표되는 차세대 휴대용 디지털기기의 메모리가 플래시 메모리로 전환되어 가고 있는 과도기인 현 시점에서 DRAM의 대체수요에 크게 기여할 수 있다.

○ OTFT 기술의 장점은 잉크젯 프린팅과 같은 저비용의 용액공정으로 플렉시블 기판 위에 대면적의 회로를 제작할 수 있다는 것이다. 실리콘 기반의 무기 반도체 공정에 비해 공정온도가 낮을 뿐만 아니라 공정시간도 짧기 때문에 높은 전자이동도를 요구하지 않는 분야에도 폭 넓게 적용할 수 있는 특징이 있다. 국내 관련 기업에서도 OTFT 기술적용이 확산되고 있는 추세이긴 하지만 보다 더 정밀한 공정을 위해서는 Nano 및 NEMS(Nano Electro Mechanical System : 미세전자기계시스템) 기술을 접목할 필요가 있다.

○ OTFT 기술을 상용화하기 위해서는 신뢰성과 안정성이 우수한 상보형 회로(complementary circuit)를 이용하는 것이 적절한 방법이다. 이를 위한 p채널 반도체 물성 분석이나 공정 개발은 이루어졌으나, n채널 반도체는 대기 중에서의 불안정성으로 인해 기술개발이 미비한 상황이다. 이 연구결과를 국내 기술에 적용한다면 이러한 단점을 일부분 해결할 수 있을 것으로 기대된다.

○ 1980년대 초반 국내 메모리 반도체 초기시장은 DRAM(Dynamic Random Access Memory)이 주를 이루었다. 이후 1987년부터 반도체 산업의 급속한 성장과 아울러 1990년대부터 디지털 모바일기기의 급속한 보급으로 인해 점차 NOR/NAND 플래시 메모리가 DRAM의 수요를 대체해가고 있다. 국내 반도체 산업 활성화 원년으로 기록되고 있는 1987년부터 30년 동안 연간 약 2백억 달러 규모의 세계 시장을 견인하고 있다.

저자

Yugeng Wen, Yunqi Liu

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

정보통신

연도

2010

권(호)

22

잡지명

Advanced Materials

과학기술
표준분류

정보통신

페이지

1331~1345

분석자

박*환

분석물

• OTFT(유기 박막 트랜지스터) 기술동향.pdf [482,061 byte]

이미지변환중입니다.