상변화 메모리 기술 동향

전문가 제언

○ 국내 메모리 반도체 산업이 새로운 비휘발성 메모리 개발에 주력하는 이유는 플래시 메모리의 한계성 때문이다. 즉, 전력소모가 많고 셀 면적이 크며, 속도가 느리고 반복사용 시 평균수명이 짧아지는 단점을 극복하고자 하는 것이다. 이에 DRAM과 거의 동일한 수준의 처리속도와 긴 수명 등 우수한 특성을 갖는 PRAM(Phase-change Random Access Memory: 상변이RAM) 기술이 차세대 비휘발성 메모리 산업을 재편하고 있다.

○ PCM소재의 다층 설계기법은 3D-패키징(packaging)과는 본질적으로 다른 전기적으로 분리된 실리콘 웨이퍼 상에 집적된 수많은 소자의 전류 및 바이어스 특성이 일정하도록 초미세 구조의 전기회로를 연결하는 초정밀 공정이다. 이는 400°C 이하의 온도에서 초고정밀 BEoL 기법이 요구된다. 즉, 실리콘 웨이퍼 상의 금속성 유전체 층에서 발생할 수 있는 표면특성, 전도대의 전하의 세기 및 분산특성 등 여러 가지 물리적/전기적/기계적 현상으로 인해 PCM셀의 전기저항 분산특성이 결정되기 때문에 PCM 메모리 소재의 반도체적 성질을 보호하는 것이 가장 중요한 과제이다.

○ 국내 차세대 NVM 기술은 후보기술이 지속적으로 개발되고 있어 향후 10년 이내에 고밀도의 NAND 플래시 메모리 소자가 기술 지배력을 나타낼 것으로 예상된다. 따라서 SSD 메모리 소자의 향상된 내구시간 및 입/출력 성능을 향상시키는 것이 향후 과제이다. 따라서 NSS(Non-volatile Solid State) 메모리 설계기술과 접목한 비휘발성 반도체 메모리 소자 설계/제조 기술, 고밀도의 저장능력 및 저가격의 경쟁력이 요구된다.

○ 컨슈머 일렉트로닉스의 급속한 발전은 post-NAND 플래시 메모리 후보기술로 PCM 기술을 상용화 단계로 진화시켜 가고 있다. 그러나 국내 기술수준은 PCM 기술적용이 아직 미미한 단계이다. 이는 급ㅈ속히 확산되고 있는 스마트폰의 대용량 메모리를 대체할 것으로 전망되어 국내 관련 기업의 분발과 아울러 부품?소재산업 육성을 위한 정책적 지원과 배려가 필요하다.

저자

Geoffrey W. Burra

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

정보통신

연도

2010

권(호)

28(2)

잡지명

Journal of Vacuum Science and Technology

과학기술
표준분류

정보통신

페이지

223~262

분석자

박*환

분석물

• 상변화 메모리 기술 동향.pdf [790,937 byte]

이미지변환중입니다.