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1차원 Ⅱ-Ⅵ 나노구조:합성,특성과 광전자 응용

전문가 제언: ○ Ⅱ-Ⅵ 나노구조의 뚜렷한 특성은 전자공학과 광전자공학에서 Ⅱ-Ⅵ 반도체재료 응용을 위한 새로운 기회가 열렸다. 1차원 Ⅱ-Ⅵ 나노구조의 합성, 특성 그리고 광전자 응용에서 최근 발전에 관한 광범위한 리뷰를 제공하였다. 특별히 고성능 Ⅱ-Ⅵ 나노전자 그리고 나노 광전자 디바이스 제작에서 가장 최근의 진보와 선택 도핑에 의한 Ⅱ-Ⅵ 나노구조의 전자, 광전자 그리고 이동 특성을 조종하는 방법을 설명하였다.

○ CdS:p NRs로 만들어진 나노-MOSFET에서 일 전압은 ±25V에서 ±5V로 감소, 서브-문지방 기울기는 ＞25V/dec에서 200mV/dec로 축소되고 상호 컨덕턴스는 7.3nS로부터 0.87?S로 향상, Ion/Ioff비는 두드러지게 ∼10부터∼107로 증가하는 현상을 보이고 있다.

○ 국외에서는 Gan, Z등이 2010년 Materials letters 64권(14)에 “Facile synthesis and characterization of urchin-like CdTe nanostructures", 그리고 Du, F등은 2010년 Materials Chemistry and Physics 121권(1/2)에 ”Controllable synthesis and Optical properties of CdS/CdSe hetero-nanostructures with various dimensionalities"를 발표하였으며 나노구조의 연구가 활발하게 진행하고 있다.

○ 국내에서는 2009년 부산대학교 석사학위 논문 “Synthesis and characterization of ZnO one dimensional nanostructures" 또한 2010년 서울대학교 박사학위 논문 ”Study on the growth behavior and hetero-structures of self-assembled Ⅱ-Ⅵ, Chalcogenide compound nanowires" 등이 발표 되었으며 특히 고려대학교 신소재화학과에서 나노구조에 많은 연구가 진행 중에 있다.

○ 1차원 나노구조를 이용한 나노기술 분야는 국가 경쟁력 확보에 중요한 영향을 미칠 것으로 인식되고 있다. 1차원 나노구조를 이용한 전자 소자 제작은 칩의 고집적화와 초 소형화를 이룰 수 있는 획기적인 기술이다. 여러 가지 방법이 1차원 Ⅱ-Ⅵ 나노구조를 합성하는 데 사용하지만 아직도 난제로 남아 있으며 나노 디바이스의 이용과 재현성에 틀림없이 영향을 준다. 그러므로 새로운 방법의 합성기술이 필요하다.

저자: Jiansheng Jie
자료유형: 학술정보