내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

첨단기술정보

home
알림마당
과학기술정보분석
첨단기술정보

III-족 금속질화물의 다결정제조

전문가 제언: ○ 고체의 대부분은 결정(crystal)이다. 방사성성분을 주성분으로 하고 있는 광물은 방사선 손상에 의하여 결정구조가 파괴된 광물이라든가 유리는 비정질(amorphism)로 존재한다. 한 개의 독립한 결정에서 그 구성성분인 원자, 분자, 이온이 규칙적으로 배열되어 있는 것은 단결정(single crystal)이다. 단결정은 물리적인 주기성과 이방성을 가지고 있다.

○ 미세한 결정입자가 불규칙한 방위로 집합되어 있는 고체는 다결정(polycrystal)이다. 개개 입자에는 주기성과 이방성을 가지고 있으나, 이들 입자가 불규칙하게 집합되어 있으면 주기성, 이방성이 상쇄되어 전체적으로는 등방성으로 나타난다. 특허에서는 금속의 질화물 다결정을 제조하는 방법을 소개하고 있다.

○ 다결정은 단결정을 성장하는 것보다 쉽다. 성장속도를 느리게 하면 단결정이, 속도가 빠르거나 외부로부터 충격이 가해지면 다결정이 얻어진다. 결정성장의 경우 용융부분과 종자부분의 온도차를 좁게 하여 성장하면 대개의 경우 좋은 품질의 단결정이 얻어지나, 시간이 오래 걸려 경제성에 문제가 있다.

○ III-족 금속의 질화물은 포괄적인 표현이다. GaN, AlN, InN, GaAlN, GaAlInN 등에서 개별재료의 다결정성장에 대한 언급은 없다. 현재 사용하고 있는 다결정 질화물에 대한 품질보다는 우수한 품질의 결정을 제조하는 방법을 독자에게 소개한다. 게터(getter)를 사용해서 질화물 다결정에 함유된 불순물을 크게 줄이는 기술이다.

○ 대표적인 III-족 금속질화물의 반도체는 GaN이다. 청색에서 자외선 영역에 이르는 물성연구와 발광소자개발에 관한 많은 연구가 현재 이루어지고 있다. GaN는 성장온도에서 분해압력이 너무 높기 때문에 단결정성장이 불가능하다. GaN제조의 원료는 금속Ga, 할로겐화물, 유기금속화합물, N2, NH3를 사용하는 것이 일반적이다.

저자: D'evelyn, Mark P.
자료유형: 특허정보