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결정 실리콘 태양전지의 계면 불활성화 막

전문가 제언
○ 태양전지 발전 산업은 매년 40~50% 이상 성장하고 있다. 독일 WBGU(지구변동자문위원회) 보고서에 따르면 2050년에는 태양광 발전이 현재 태양전지 발전량의 약 5000배에 달할 것으로 예상하고 있는데, 이를 위해서는 태양전지의 생산비 절감과 고효율화가 절대적으로 필요하다.

○ 현재 태양전지 시장은 결정 실리콘 태양전지가 90% 이상을 점유하고 있는데, 제조단가에서 실리콘 웨이퍼와 실리콘 원료비가 상당히 큰 비중을 차지하고 있다. 따라서 제조단가 절감을 위하여 실리콘 사용량이 크게 감소되는 웨이퍼의 박막화가 불가피하며, 고 효율화를 위해서는 셀(cell)의 표면과 뒷면에 고품질의 불활성화(passivation)가 필요하다.

○ 현재 태양전지 셀의 표면 및 이면 불활성화 막의 제막에는 건식 산화공정이 사용되고 있지만, 건식 산화공정에서는 1000℃ 이상의 고온이 필요하므로 저가 기판을 사용하는 경우에는 수명(lifetime, 자유전자와 정공의 수명)이 저하될 수 있다. 그리고 건식 산화공정은 가열과 냉각 에 많은 시간이 소요된다. 그러므로 저온에서 고속으로 불활성화 막을 형성시킬 수 있는 새로운 기술 개발이 필요하다.

○ 고품질의 불활성화 막으로는 열 산화막이 잘 알려져 있지만 저가 기판의 사용, 공정비용 절감 등을 위해서는 저온공정에 의한 불활성화 막의 제조기술 개발이 필요하다. 차세대 불활성화 막으로 a-Si1-xNx:H, a-Si:H, a-Al1-xOx:H 등이 기대되고 있으며, 불활성화 막의 저온 제조에는 플라스마 CVD가 유망해 보인다.
저자
S. MIYAZAWA
자료유형
학술정보
원문언어
일어
기업산업분류
에너지
연도
2009
권(호)
85(12)
잡지명
プラズマ核融合學會誌
과학기술
표준분류
에너지
페이지
820~824
분석자
이*순
분석물
담당부서 담당자 연락처
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