파워디바이스용 SiC 단결정 기판의 개발

전문가 제언

○ 일반적으로 사용하고 있는 에너지 중에서 50% 정도를 전기에너지로 소비하는데 에너지를 전력으로 변환할 시에 에너지손실 감소가 효과적이다. Si파워디바이스는 재료물성 한계가 있기 때문에 대폭의 성능 개선이 곤란해 Si 대신 SiC 반도체가 등장하고 있다.

○ Si반도체는 n형과 p형 도팬트(Dopants)로 사용하는 반도체이지만 밴드-갭이 1.12eV이고 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC 등의 밴드-갭은 2.23~3.26eV정도로 Si 밴드-갭보다 크기 때문에 SiC를 파워디바이스로 사용하면 에너지 감소 효과가 증가할 것으로 생각된다.

○ 승화법이나 고온 CVD법으로 제조한 SiC단결정 벌크기판을 연마 가공 시에 리소그래피가공과 다이아몬드 분말입도 조절 및 에칭슬러리 등을 선택하고 조절하여 가공함으로써 SiC 기판 표면의 마이크로 파이프가 크게 감소하여 결함이 없는 디바이스 제조에 큰 역할을 기대하는 바이다.

○ 파워디바이스의 전력변환회로로 적용할 경우에는 패키지 기술이 중요하다. SiC디바이스의 가능성이 있게 하려면 종래의 Si디바이스에서 사용하고 있는 패키지로는 충분하지 않고 SiC 디바이스 특징에 일치하는 패키지가 필요하다고 생각된다.

○ SiC 무결함단결정 개발에 병행하여 패키징 기술도 개발함으로써 보다 더 일층 SiC 디바이스의 가치가 높아질 것으로 기대하는 바다.

저자

Taizo HOSHINO

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2009

권(호)

79(11)

잡지명

金屬

과학기술
표준분류

재료

페이지

960~964

분석자

황*길

분석물

• 파워디바이스용 SiC단결정기판의 개발-.pdf [357,008 byte]

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