강유전체 메모리 기술

전문가 제언

○ 유비쿼터스 사회를 지원하는 키 디바이스로서 고집적?고신뢰성으로 전원을 차단하여도 기억내용이 소거되지 않는 불휘발성 RAM이 요구되고 있다. 강유전체 메모리인 FeRAM은 이러한 요구를 가장 만족하는 메모리로서 기대하고 있으며 1Mbit까지의 소규모 메모리로서 실용화되고 있다.

○ 그러나 강유전체 메모리의 보다 큰 대용량화에는 신뢰성에서 계면(界面)의 문제, 재료자체의 성능저하의 문제 등 아직 해결해야할 과제가 많다. 근래 일본 Tokyo Institute of Technology의 Ishiwara Lab.에서는 트랜지스터형과 커패시터형의 2가지 형식의 강유전체 메모리에 대한 기초연구와 실용화를 목표로 한 연구를 수행하고 있다.

○ 강유전체 메모리는 불휘발성 메모리 중에서는 소비전력이 낮고 많은 회수의 고속 반복기록이 가능한 특징이 있으며 비접촉 IC카드, 기기의 전원차단 직전의 데이터 처리, 인증용 IC 등에 이용되고 있다. 본고에서는 강유전체 커패시터의 분극량과 전압의 히스테레시스 커브, 2트랜지스터 2C커패시터(2T2C) 셀의 기본동작, 신뢰성에 관련된 분극량의 감소요인 등에 대하여 소개하였다.

○ 차세대 메모리로 MRAM, PCRAM, FeRAM 등을 들 수 있으며 이들은 2000년대 이후에 우리나라 삼성전자를 비롯하여 미국과 일본에서 경쟁적으로 개발하고 있다. 삼성전자에서는 2006년에 512M급 PCRAM 소자를 개발하였으며 일본 Toshiba에서는 2009년에 128Mbit, 1.6Gb/s인 FeRAM을 개발하였다.

○ FeRAM은 소규모의 스마트카드 등에 실용화되어 대량으로 생산되고 있다. 그러나 앞으로 대규모의 메모리 제작에는 강유전체 막을 형성하는 계면의 문제, 강유전체 재료의 물성면의 개선, 재료자체의 열화문제 등 해결해야할 과제가 많다.

저자

Shoichiro KAWASHIMA, etal

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

92(8)

잡지명

電子情報通信學會誌

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

682~689

분석자

유*로

분석물

• 강유전체 메모리 기술.pdf [426,362 byte]

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