SiC 디바이스의 제조공정 기술

전문가 제언

○ 파워 반도체 시장이 일반 생활가전 기기는 물론 자동차 및 산업 분야 등에서 그 규모를 크게 확대하면서 관련 소자 기술에 대한 연구 활동도 매우 활발하게 이루어지고 있다. 그동안 파워 반도체 시장을 주도해 온 실리콘 소자는 여러 응용분야에서 필요한 특성을 충분히 만족시킬 수 없는 한계에 부딪히고 있어서 그 대안으로 SiC나 GaN계 소자가 후보에 올라 있다.

○ 탄화규소는 Si 반도체 소자보다 높은 전압에서 낮은 손실의 전력제어를 할 수 있게 하는 와이드 밴드갭 소자의 재료로 기대되고 있다. 열전도와 내열성 및 전기적 특성이 안정되며 소자 내부에서의 전력손실도 매우 적어서 앞으로 에너지 절약을 위한 주요 재료로 각광을 받고 있다.

○ 정보통신 분야에서 LCD나 PDP TV 등 박형 TV의 보급 증가와 PC용 파워 반도체 시장이 빠르게 확대되고 있다. 앞으로는 에어컨용 파워 반도체를 비롯한 생활가전의 시장도 빠른 성장세를 보일 것으로 전망된다. 아직은 SiC 웨이퍼의 가격이 높고 실용화를 위한 품질도 충분하지 못해서 이를 위한 기술개발이 절실히 필요한 실정이다.

○ 이들 신 재료에 있어 상용화를 위한 과제를 해결해서, 재료 자체가 갖는 양호한 특성을 충분히 발휘할 수 있도록 하는 소자 기술 개발이 절실한 형편이다. 미국과 일본 등지에서 결함 없는 고품질의 SiC 웨이퍼 기술의 개발이 활발히 이루어지고는 있지만 아직은 초기 수준이다. 한국에서도 적극적으로 연구개발에 참여한다면 파워 반도체의 실용화를 앞당길 수 있게 될 것이며 과학기술 분야에 큰 기여를 하게 될 것이다.

저자

Kenji Hukuda

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2009

권(호)

57(12)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

23~27

분석자

김*배

분석물

• SiC 디바이스의 제조공정 기술.pdf [355,705 byte]

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