갈륨비소 표면 채널 n-MOSFET를 위한 실란-암모니아 표면 부동태화

전문가 제언

저자

Chin, Hock-Chun, et.al.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

30(2)

잡지명

IEEE Electron Device Letters

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

110~112

분석자

황*룡

분석물

• 갈륨비소 표면 채널 n-MOSFET를 위한 실란-암모니아 표면 부동태화.pdf [298,705 byte]

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