Si 상 Ge를 이종에피 성장시킨 p-채널 Ge MOSFET

전문가 제언

저자

Yu, Hyun-Yong, et.al.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

30(6)

잡지명

IEEE Electron Device Letters

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

675~677

분석자

황*룡

분석물

• Si 상 Ge를 이종에피 성장시킨 p-채널 Ge MOSFET.pdf [298,413 byte]

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