알림마당

첨단기술정보

  1. home
  2. 알림마당
  3. 과학기술정보분석
  4. 첨단기술정보

전면 게이트 나노와이어 MOSFET의 자기가열 효과 분석

전문가 제언
저자
Runsheng Wang, et.al.
자료유형
연구단신
원문언어
영어
기업산업분류
전기·전자
연도
2009
권(호)
30(5)
잡지명
IEEE Electron Device Letters
과학기술
표준분류
전기·전자
페이지
559~561
분석자
황*룡
분석물
목록
담당부서 담당자 연락처
이 페이지에서 제공하는 정보에 대하여 만족하십니까?
문서 처음으로 이동