전면게이트, 직경 10nm 이하 나노와이어 n-MOSFET에서 단일축 인장변형의 성능개선

전문가 제언

저자

Pouya Hashemi, Leonardo Gomez, Judy L. Hoyt

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

30(4)

잡지명

IEEE Electron Device Letters

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

401~403

분석자

황*룡

분석물

• 전면게이트, 직경 10nm 이하 나노와이어 n-MOSFET에서 단일축 인장변형의 성능개선.pdf [310,347 byte]

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