전면 게이트 채널을 가진 도판트 분리 쇼트키 실리콘 나노와이어 MOSFET

전문가 제언

저자

Chin, Yoke King, et.al.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

30(8)

잡지명

IEEE Electron Device Letters

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

843~845

분석자

황*룡

분석물

• 전면 게이트 채널을 가진 도판트 분리 쇼트키 실리콘 나노와이어 MOSFET.pdf [295,741 byte]

이미지변환중입니다.