MBE 성장 Al2O3/Ga2O3(Gd2O3)를 유전체로 한 공핍모드 In0.2Ga0.8As/GaAs MOSFET

전문가 제언

저자

Lin, C.A. , et.al.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

311(7)

잡지명

Journal of Crystal Growth

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1954~1957

분석자

황*룡

분석물

• MBE 성장 Al2O3-Ga2O3(Gd2O3)를 유전체로 한 공핍모드 In0.2Ga0.8As-GaAs MOSFET.pdf [293,503 byte]

이미지변환중입니다.