첨단기술정보

  1. home
  2. 알림마당
  3. 과학기술정보분석
  4. 첨단기술정보

4H-SiC (0001) 기반의 2중 RESURF MOSFET

전문가 제언
저자
asato Noborio, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto
자료유형
연구단신
원문언어
영어
기업산업분류
전기·전자
연도
2009
권(호)
30(8)
잡지명
IEEE Electron Device Letters
과학기술
표준분류
전기·전자
페이지
831~833
분석자
황*룡
분석물
담당부서 담당자 연락처
이 페이지에서 제공하는 정보에 대하여 만족하십니까?
문서 처음으로 이동