<110>SOI MOSFET에서 외력으로 인한 피에조저항계수

전문가 제언

저자

Chang, W.T. et.al.

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

86(7)

잡지명

Microelectronic Engineering

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1965~1968

분석자

황*룡

분석물

• '110'SOI MOSFET에서 외력으로 인한 피에조저항계수.pdf [304,220 byte]

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