신형 수직트렌치 전력 MOSFET 특성평가를 위한 GCD 기법

전문가 제언

저자

Pan, James

자료유형

연구단신

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

56(6)

잡지명

IEEE Transactions on Electron Devices

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1351~1354

분석자

황*룡

분석물

• 신형 수직트렌치 전력 MOSFET 특성평가를 위한 GCD 기법.pdf [333,870 byte]

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