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첨단기술정보

원자층 질소첨가 GaAs를 이용한 여기자 미세구조 제어와 광자원에 응용

전문가 제언: ○ 반도체 제어를 위해 첨가되는 아주 적은 불순물은 고유의 전자상태를 통한 불균일한 에너지 확산을 제어하기 위해 양자 닷(dot)의 이용이 가능하며 양자 닷(dot)은 여기자와 광의 상호작용을 이용한 디바이스에도 응용이 가능하게 되었다.

○ 본 논문에서 GaAs의 질소 델타도프(-dope)기술은 질소페어에 속박된 여기자 미세구조와 광자원에 대한 여기자 미세구조 제어의 규명으로 최고의 균일한 광자 디바이스 실현이 가능할 것으로 판단된다.

○ GaAs(001) 표면 재구성구조를 이용한 -doping기술은 여기자의 발광특성과 여기자의 미세구조 편광특성의 규명으로 질소 원자를 페어배열 하게 되어 광자원의 전망이 기대되고 있다.

○ 기판 상에 제어하여 만드는 반도체 양자 닷(dot)은 양자광학으로 실증되었으며 광과 원자의 상호작용에 의해 개체 디바이스 실현이 가능하게 되었다.

○ 양자 정보 디바이스는 여기자 상태를 얼마나 정밀하게 제어하는가가 열쇠이므로 자기형성 양자 닷(dot)의 불균일한 양자상태 분포에서 생기는 실용상의 문제를 해결하는데 기대가 된다.