Ge 기반 쇼트키 장벽 MOSFET에서 누설 전류제한을 위한 고품질 쇼트키 접점

전문가 제언

○ 박막 증착 방법은 PD(Physical Deposition)와 CD(Chemical deposition))로 구분한다. PD에는 PVD (Physical Vapor Deposition), 캐스팅( Casting) 등이 포함되며, CD에는 CVD(Chemical Vapor deposition), IAD(Ion Assisted Deposition), ALD(Atomic Layer Deposition), 전기증착(Electrodeposition), 에피택시(Epitaxy), 열산화(Thermal oxidation) 등이 포함된다. 주요한 PVD 기술은 스퍼터링, 전자빔 증발법(E-Beam Evaporation), 열적 증발법(Thermal Evaporation) 등이 있다.

? 주요한 CVD 기술은 MOCVD(금속유기물) PECVD(플라즈마 강화), PACVD(플라스마 보조), APCVD(상압), LPCVD(저압), UHCVD(초고진공) 등이 있다.

○ 전착(Electrodeposition)은 전기도금과 EPD(Electrophoretic deposition)로 분류될 수 있다. EPD는 전기코팅, 전자-코팅(e-coating), 전기영동 코팅, 전기영동 페인팅을 포함하는데, 전기도금과 다른 특징은 현탁 용액 속에 콜로이드 상태로 부유하는 입자가 전계의 도움을 받아 타깃으로 이동하여 증착한다는 점이다.

○ 증발법에서는 진공챔버 속에 기판 및 소스 물질(증착될 물질)을 각각 지정 장소에 두고 소스 물질을 가열하여 증발시킨다. 전자 빔 증발법에서는 전자 빔이 소스 물질을 향해 돌진하여 가열, 증발시킨다. 저항열증발법(resistive evaporation)에서는 텅스텐 그릇에 소스물질을 두고 전기적으로 가열하여 증발시킨다. 소스 물질에 따라 가열 방법이 다르며 이는 상변화 특성과 관련이 있다.

○ 이 글에서는 SB Ge MOSFET을 제작함에 있어서 증발법을 사용한 기존 방식에 비해 전착법(황산니켈 용액을 사용하였으므로 전기도금법을 의미하는 것으로 보임)을 사용하여 훨씬 더 좋은 성능 특징을 얻었음을 보고하고 있다. 드레인 소스 누설 전류가 줄어드는 결론은 보여 주었으나 드레인 바디 누설 전류에 대해서는 실험 결과 부분에서 언급이 없는 점, p-MOSFET에 대해서는 개선이 입증되었으나 n-MOSFET에 대해서는 언급이 없는 점이 아쉽다.

저자

Muhammad Khaled Husain, Xiaoli V. Li, Cornelis Hendrik de Groot

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

56(3)

잡지명

IEEE Transactions on Electron Devices

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

499~504

분석자

황*룡

분석물

• Ge 기반 쇼트키 장벽 MOSFET에서 누설 전류 제한을 위한 고품질 쇼트키 접점.pdf [388,564 byte]

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