반도체소자 저유전율재료의 건식식각

전문가 제언

○ 반도체 소자의 배선층을 구성하는 금속과 층간 절연물에는 오래 전부터 알루미늄 합금과 SiO2가 사용되어 왔다. 그러나 반도체 소자의 배선 폭과 배선 간격이 좁아지면 배선 저항과 배선 간 용량의 증대에 따라 배선 사이에 신호 지연이 일어나는 문제로 인해 고집적화와 고속화가 제한을 받는다.

○ 초대규모 집적회로(ULSI)를 개발하기 위해서는 고집적화가 요구되는데, 소자를 고집적화 시키면 좁은 배선 폭으로 인해 배선 사이에 신호지연이 일어나서 저속화 현상이 일어나게 된다. 따라서 ULSI에서는 신호지연을 완화시키기 위해 유전율이 작은 저유전율(low-k) 절연재료가 사용되고 있다.

○ 현재 ULSI에 사용되는 low-k 절연재료로는 유기계 막과 SiOCH 막이 있는데, 유기계 막은 식각가스와 반응성이 강해 식각형성의 제어가 어려운 단점이 있으며, SIOCH 막은 식각가스로 사용하는 풀루오로카본 (fluorocarbon)이 높은 지구온난화계수를 갖고 있어서, 앞으로는 사용이 규제되므로 이에 대비한 새로운 식각 가스가 요구되고 있다.

○ 반도체 기술 강국인 우리나라가 계속 반도체 기술 강국의 지위를 유지하기 위해서는 계속적인 LSI의 고집적화가 요구되는데, 이를 달성하기 위해서는 low-k 재료의 사용이 불가피하다. 따라서 정밀도 높고 생산성이 높은 low-k 재료의 식각공정 기술을 확보하기 위한 연구개발을 적극적으로 추진하여야 할 것이다.

저자

SEKINE Makoto, HORI Masaru

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

85(4)

잡지명

プラズマ核融合學會誌

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

193~198

분석자

이*순

분석물

• 반도체 소자 저유전율 재료의 건식식각.pdf [370,264 byte]

이미지변환중입니다.