PSP 모델에 응용할 MOSFET 콤팩트 모델의 벤치마크 시험

전문가 제언

○ PSP(Penn State Philips 혹은 Penn-state Surface Potential) 모델은 PSU(Penn State University)와 Philips의 공동 개발로 2004년 발표되었는데 기존의 MM11(Philips 개발)과 SP(PSU 개발)의 기능을 통합, 개선한 것이었다. 2005년 12월 CMC는 BSIM을 이어갈 차세대 산업계 표준 모델로 PSP를 선정하였다. 2006년 3월 PSP 101.0.0(level.version. implementation)이 출시되었고 2006년 7월 102.0.0, 2008년 12월 102.3.2 및 103.0.0이 출시되었다.

○ 현재 PSP의 개발은 NXP Research(Philips Research의 후신), 그리고 PSU에서 Arizona State University로 옮긴 Gildenblat 교수가 수행하고 있다. NXP와 Gildenblat는 PSP 모델이 표면전위 기반의 콤팩트 MOSFET 모델로서 현재 그리고 가까운 미래에 사용될 심차마이크론(deep-submicron) 벌크 CMOS 기술을 모델링하기 위해 필요한 모든 물리 현상(이동도 감소, 속도포화, DIBL, 게이트 전류, 수평도핑점변효과, STI 스트레스 등)을 반영하고 있다고 자평한다.

○ PSP 모델은 SiMKit라는 라이브러리에 포함되어 제공되는데 Pstar(NXP의 회로시뮬레이터), Spectre(Cadence의 회로시뮬레이터), ADS(Agilent의 회로시뮬레이터) 등과 연결되어 사용된다. Silvaco에서는 SmartLib 모델 라이브러리의 일부로 PSP 모델을 구현하고 있으며 SmartSpice에서 액세스할 수 있다.

○ MOSFET 모델에서 초기에 등장한 Model9(Philips), BSIM3 및 BSIM4 (Berkeley)는 문턱전압기반(Vth-based)으로서 100nm 이하의 MOSFET 등 여러 조건에서는 적용 불가로 알려져 있으며, 강력한 대안으로 인정받은 반전전하기반(qi-based) 모델[Maher(1987), Byun(1990), Enz(1995), Cunha(1995)]은 RF 응용에는 적용할 수 없는 등 몇 가지의 문제가 있었다. 표면전위기반(Øs-based) 모델의 등장으로 상기 두 모델의 문제는 대부분 해결되었으며 사실 두 모델은 표면전위기반 모델의 특수 경우로 다루어질 수 있게 되었다.

저자

Xin Li, Weimin Wu, Amit Jha, et.al.

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

56(2)

잡지명

IEEE Transactions on Electron Devices

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

243~251

분석자

황*룡

분석물

• PSP 모델에 응용할 MOSFET 콤팩트 모델의 벤치마크 시험.pdf [378,004 byte]

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