아날로그 회로에서 소자 불균일의 영향과 대책

전문가 제언

○ 근래 대규모 집적회로인 LSI의 발전을 견인한 것은 MOS 트랜지스터의 미세화기술이다. 미세화로 MOS 트랜지스터는 성능 향상, 저소비 전력화, 집적도 향상을 동시에 달성하였다. 현재 하나의 칩에는 게이트 길이가 100㎚ 이하인 트랜지스터가 1억 개 이상 집적되어 있다. 그러나 미세화가 진전됨에 따라 새로운 문제가 발생되고 있다.

○ MOS 트랜지스터는 게이트 길이가 100㎚ 이하로 미세화되어 특성 불균일의 문제가 현재화(顯在化)되었다. 설계상 동일한 사이즈의 트랜지스터에서도 제조된 회사마다 특성이 다르다. 따라서 회로가 정상으로 동작하지 않는 등의 현상이 야기되고 있다. 특성의 불균일의 원인은 다양하여 정량적으로 아직 해명되지 않은 부분이 많아 원인 규명에 대하여 많은 연구가 이뤄지고 있다.

○ 시스템 LSI에 이용되는 디지털회로에서는 More의 법칙에 따라 미세화와 고성능화가 달성되었다. 그러나 한편 아날로그 회로는 More의 법칙에 따르지 않기 때문에 고성능화를 별도의 수단으로 할 필요가 있다.

○ 즉 회로의 저전압화, 소자 불균일을 극복하면서 SN(신호 대 잡음)비를 유지 혹은 향상시키는 기법, 전력효율을 향상시키는 기법이 고안되고 있다. 본고에서는 소자 불균일을 극복하는 아날로그 회로의 고성능화 기술에 대하여 소개하였다.

○ 최근 정보 트래픽의 폭발적인 증가에 의한 신호전송의 고속화로 전송회로에 요구하는 특성이 엄격하게 되었다. 반도체 소자의 저전압화나 과도전류의 증가로 칩 내의 전원전압 변동이 문제로 되었다. 이러한 전원변동이나 소자의 불균일 등이 원인으로 되어 고속화를 방해하게 되므로 이것을 억제하기 위한 회로기술의 연구와 그 대책이 중요하다.

저자

Shiro DOSHO

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2009

권(호)

92(6)

잡지명

電子情報通信學會誌

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

446~451

분석자

유*로

분석물

• 아날로그 회로에서 소자 불균일의 영향과 대책.pdf [418,037 byte]

이미지변환중입니다.