수열합성법에 의한 ZnO단결정 육성가술

전문가 제언

○ 산화아연(ZnO)은 1960년대부터 1970년대에 걸쳐서 일렉트로팩스(electrofax) 방식의 사진기용 산화아연 코드지로 응용이 많았으며, 일본에서는 1990년 초부터 이에 대한 관심이 높아지고 연구가 활발해져 투명 전극, 전자 디바이스 등에 응용이 현실화되고 있다.

○ 최근에는 특히 밴드갭 3.3~3.6eV로 n형 반도체, 광촉매, 광전도성 등의 여러 가지 특성을 지니고 있기 때문에 많은 주목을 받고 있다.

○ 산화아연(ZnO) 단결정은 투명 도전체이나 자외-청색발광 소자 등 반도체로서 응용이 확대되고 있고, 이에 따라 고품질의 ZnO기판이 크게 요구되고 있다. Tohoku대학과 Tokyo Denpa사는 공동연구로 수열합성법을 개발하여 고품질의 벌크 ZnO기판 개발에 성공하였다.

○ 또한 수열합성법으로부터 발전된 Ammono thermal(물 대신 암모니아를 사용하는 결정육성법)법으로 육성법이 성공하여 앞으로 GaN벌크 결정제조기술이 곧 산업화 할 것으로 기대되고 있다.

○ 여러 선진국에서는 반도체 품질의 ZnO 애피택셜(epitaxial)박막에 대한 연구, 자외역에서의 발광 디바이스나 파워 트랜지스터 등의 디바이스를 위한 연구개발이 활발한 것을 감안하면 우리도 지금부터라도 이 분야에 많은 관심과 연구가 있어야겠다고 생각한다.

○ 특히 이 분야의 기술은 스핀 일렉트로닉스나 나노와이어 등의 차세대 기술로 각국이 육성하고 있으나 아직까지도 도핑에 관한 기술, 와이드 밴드 갭 반도체 특유의 물성제어에 관한 분야는 연구개발해야 할 과제가 많아 늦지 않다고 생각한다.

저자

Fukuda Tsuguo, Kagamitani Yuji

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2008

권(호)

56(10)

잡지명

工業材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

28~32

분석자

이*식

분석물

• 수열합성법에 의한 ZnO단결정 육성가술.pdf [377,008 byte]

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