Cu/Mo 복합 이중층의 식각

전문가 제언

○ 반도체나 PCB, 마이크로전자기계시스템(MEMS), 더 나아가서는 iMEMS(Integrated MEMS) 소자의 제조 등에서 회로를 형성하는 식각공정은 필연적이다. 점차 고도의 복합기능을 갖는 소자로 발전하기 때문에 회로의 집적도를 안정된 상태에서 높이는 일은 대단히 중요하다.

○ 집적도를 높이기 위해서는 식각공정에서는 측면 프로파일을 수직으로 하여 폭에 대한 깊이의 비, 즉 형상 비를 크게 하는 것이 대단히 중요한 관심대상이다. 그러면서도 세선의 와이어가 기재에 완벽하게 접착되어야 한다. 형상 비가 낮은 식각은 결국 소자의 감도와 안정성을 해친다.

○ 본 발명에서는 몰리브덴을 중간층으로 배치하여 접착력을 올리고 과산화수소, 아미노산, 그리고 불소산으로 된 식각용액을 써서 형상 비가 높은 식각이 가능하다고 하였다.

○ 기존의 방법에서는 CCLS의 식각에는 주로 염화철을, 그리고 소프트 에칭에는 황산과 아민의 혼합물을 적용하고 있다. 이들 기존의 방법들과 직접 비교한 실시예나 비교예가 없어 확인은 어려우나 과산화수소와 약산을 사용하는 본 발명의 조성을 보면 생산성 측면의 효율은 다소 떨어지지 않을까 생각한다.

○ 식각의 측면 프로파일을 개선하는 방법으로 본 발명의 경우와 같은 습식 식각도 가능하지만 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 등의 건식 식각을 적용할 수도 있다. 건식이나 습식 어느 경우에나 식각제의 조성, 액의 상대적 흐름방향 설계, 온도, 농도 프로파일의 설정 등으로 개선의 여지는 무한하다고 본다. IT 강국으로서 소프트웨어뿐 아니라 제조공정과 재료부분에서도 관련 산업을 리드하여 전천후 경쟁력을 확보할 필요가 있다.

저자

BASF SE

자료유형

특허정보

원문언어

영어

기업산업분류

화학·화공

연도

2009

권(호)

WO20090047203

잡지명

PCT특허

과학기술
표준분류

화학·화공

페이지

~14

분석자

박*규

분석물

• Cu,Mo 복합 이중층의 식각.pdf [335,964 byte]

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