LDR의 극점위치 연성변경을 위한 MOSFET 어레이

전문가 제언

○ 배터리 동작 휴대용 기기에서 전력소비를 줄이기 위해 다양한 저전압 회로가 개발, 사용되고 있으며 ADC, filter, SRAM 등에서 0.5 V 수준의 초저전압으로 작동한다. 이러한 기기에서는 특히 1V 이하의 전원으로 작동하며 잡음에 민감한 회로에서 안정된 전압 공급을 필요로 하는 경우 집적회로화된 LDR(low dropout regulator)가 두루 사용되고 있다.

○ 학계와 산업계는 LDR의 설계에 있어서 안정도 개선을 위하여 부하 연결 단자에 작은 용량의 커패시터를 하나 병렬로 추가하는가 하지 않는가를 가지고 서로 대립하고 있다. 즉 ‘커패시터 부’와 ‘무 커패시터’의 경쟁이다. 별도의 커패시터를 설치하는 경우 이는 하나로 집적화할 수 없으며 별도의 안정도 확보 대책이 칩 속에서 마련되어야 한다. 무 커패시터의 경우 부하가 고에서 저로 급변할 때 높은-Q 문제가 발생하고 안정도가 낮아질 수 있으며 반면 커패시터 부의 경우에는 부하가 저에서 고로 급변할 때 높은-Q 문제 및 안정도 문제가 생길 수 있다.

○ 무 커패시터에 대한 최근 문헌을 보면 Huan-ChienYang 등의 “High-PSR-Bandwidth Capacitor-Free LDO Regulator…” (WSEAS Transactions On Circuits And Systems, 7(5), 2008), 그리고 Zhou Qianneng 등의 “A capacitor-free CMOS LDO regulator…” (Journal of Semiconductors, 30(4) 2009)등이 있다. 이 글은 커패시터 부의 LDR에서 높은-Q 문제를 해결하는 하나의 기법을 소개하면서 Wong(2006)의 단순 극점위치 변경기법과 비교하고 있고 상당히 우수한 성적을 보여주고 있다. 하지만 이와 같은 최근의 발표를 반영한다면 그 결과는 어떻게 될지 미지이다.

○ 이 글의 제안 기법은 MOSFET 어레이를 하나의 단위 소자로 취급하는 간편함이 있는 반면, 그 구성에 소요되는 소자 수가 지나치게 많기 때문에 전반적인 비용 및 신뢰도 저하의 문제가 내포되어 있다.

저자

Yung-Hsin Lin, et.al.

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2008

권(호)

23(5)

잡지명

Power Electronics, IEEE Transactions on

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

2421~2427

분석자

황*룡

분석물

• LDR의 극점위치 연성변경을 위한 MOSFET 어레이.pdf [389,603 byte]

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