차세대 전자재료

전문가 제언

○ Hf 베이스의 High-k Gate 절연 박막은 오랫동안의 연구개발을 거의 끝내고 45나노미터 프로세스에 의한 양산을 계획하고 있다. 이들 초미립자는 M(OR)x(Metal Alkoxide), M(RCp)x(Cyclopentadienyl) 화합물, M(dpm)x(β-diketonide) 화합물 전구체 등을 이용하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), ALD(Atomic Layer Deposition)법으로 커패시터용 재료에 박막 코팅하고자 연구개발하고 있다.

○ 종래의 DRAM에 사용하여 오던 SiO2-Si3N4계 유전재료를 바꾸어 보다 높은 유전율이 있는 새로운 재료를 도입하는 노력을 하고 있다. 현재의 최첨단 DRAM에서는 HfO2와 ZrO2 유전재료가 커패시터용 유전재료의 주류를 이루고 있다.

○ 국제반도체기술 로드맵에서는 2008년에 금후 사용 가능성이 있는 높은 유전재료로 TiO2, SrTiO3, Ba(Sr)TiO3를 도입할 것이라고 예시하였다. 즉 2008년 59㎚에서 2013년 32㎚ 크기의 초미세 입자를 유전재료로 사용하게 될 것이라는 예측이다. 성능이 우수한 유전재료 제조에는 전구체개발도 중요하게 도입될 것이라고 생각된다.

○ 새로이 개발된 전구체 Sr(Cp)2DME[Bis(Pentamethylcyclopentadi enyl)Strontium,1,2-Dimetoxyethane adduct]는 증기압(1Torr)이 높기 때문에 실제로 ALD 프로세스에 사용가능하다고 생각되지만 이 공정에서는 더 높은 증기압 특성이 있는 전구체를 요구하고 있다.

○ 금후에 유전재료를 TiO2, SrTiO3, Ba(Sr)TiO3로 변경하여 사용하게 될 경우 상하 전극재료도 Ru, RuO2, Pt, IrO2, SrRuO 등으로 바꾸어야 한다. 이는 결국 커패시터 변경 등 구조적인 전체문제가 해결되어야 하는 큰 과제이므로 완전한 제품이 되기까지는 종합적인 연구가 필요하다고 생각된다.

저자

Wada Senji

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

재료

연도

2009

권(호)

48(3)

잡지명

電子材料

과학기술
표준분류

재료

페이지

83~88

분석자

황*길

분석물

• 차세대 전자재료.pdf [372,519 byte]

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