내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

알림마당

home

부분 공핍 SOI MOSFET의 고온 DC 및 RF 거동

전문가 제언: ○ 고온에서의 MOSFET 특성은 일반적으로 큰 역방향 전압이 드레인 접합에 걸리고, 큰 전기장에서 일부 캐리어는 충격 이온화를 일으킬 만큼 큰 에너지를 얻게 된다. 충격 이온화에 의해 생성된 전자는 게이트 쪽으로 끌려가게 되고 산화막을 관통, 장벽을 넘어 산화막 내에 포획된다. 이로 인하여 문턱전압이 변동하고 Id-Vd 특성이 열화한다.

○ 이 글은 부분 공핍 SOI MOSFET이 고온에서 어떤 DC 및 RF 특성을 보여주는가를 분석적으로 검토한 다음 실측을 통해 비교하고 있다. 특히 FB(Floating-Body)형과 BT(Body-Tied)형을 모두 대상으로 하였다.

○ RF 관련 실측은 소자의 연결선, 주변 환경 등에 따라 큰 오차가 수반된다. 이를 해결하기 위해 디임베딩(De-Embedding) 기법이 사용되고 있다. 측정 장비에서 얻는 데이터는 참 데이터가 아니고 왜곡된 데이터일 수 있다. 측정 대상 DUT(Device Under Test)는 측정면(Measurement Plane)에 내장된다. 이 면과 데이터 수집 장치는 통상 측정면과 일정 거리를 두고 위치하게 되며 이는 데이터 수집면(Data Collection Plane)이 된다.

- 오차 정정 시스템이 두 면 사이에 개재될 수 있으며 이는 오차정정자(Error Adapter)가 된다. 이 글에서는 오픈 더미구조(OPEN dummy structure)를 오차정정자로 활용하였다.

○ 고온 및 열악한 환경에서 사용되는 전자장비의 수요는 점증하고 있다. 최근의 전자장비에는 MOSFET가 거의 필수적으로 사용되고 있다. 특히 수백 GHz의 고주파 동작을 해야 하는 경우도 많다. 보다 분석적인 방법으로 특성을 파악하고 설계 및 제작에 임한다면 성능과 효율면에서 경쟁 우위를 점할 수 있을 것이다.

저자: Mostafa Emam, Julio C. Tinoco, Danielle Vanhoenacker-Janvier, Jean-Pierre Raskin
자료유형: 학술정보