내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

알림마당

home

유전체의 수직식각

전문가 제언: ○ 전자회로기판이나 반도체 디바이스 등은 모두 일정한 원하는 패턴을 가질 때 제 기능을 하게 된다. 패턴을 형성하는 방법은 원리적으로는 대개 유사하다. 마스크에 먼저 패턴을 형성시키고 마스크 아래에 있는 기재를 식각하여 그 패턴을 복사하는 것이다.

○ 마스크의 패턴형성은 노광된 포토레지스트층을 탄산칼륨 등의 액체 현상액으로 부분용해 제거하면 된다. 네거티브인가 포지티브인가에 따라 역상의 원판을 적용함은 당연하다. 다음에 노출된 구리부분은 염화 제2철 등의 부식제로 부식하여 구리회로를 형성하게 되는 것이다.

○ 웨이퍼의 산화실리콘 층은 플라스마를 이용하여 식각한다. 플라스마는 이온화한 기체를 말하는 것으로 일반기체와는 달리 자기장을 걸면 필라멘트, 빔, 이중층 등을 형성한다. 이 현상을 이용하여 플라스마는 자동차, 전기전자, 항공우주, 의료, 치과, 장식광고, 센서, 섬유 등 광범위한 분야에 응용되고 있다. 웨이퍼의 식각에도 응용된다.

○ 본 발명에서는 웨이퍼의 플라스마 식각기체로 일반적으로 사용하는 CF4 및 CHxFy 기체에 COS를 추가함으로서 식각되는 단면을 수직으로 유지할 수 있다고 하였다. 수직을 이룰수록 회로집적도를 높일 수 있고 제품수율을 높일 수 있음은 자명하다. 이는 첨가된 COS가 부식되는 벽에 강한 고분자막을 형성하기 때문으로 추정하고 있다.

○ 실리콘이나 산화실리콘 표면에 고분자막이 형성되는 것은 여러 요인에 의하여 결정된다. 플라스마실의 온도, RF 세기, 기체압력 등이 관계된다. 온도가 낮을수록 좋으며 어느 연구결과를 보면 -60℃ 이하가 되어야 고분자막이 형성된다고 하는데 본 발명에서는 온도에 대한 언급이 없어서 과연 고분자막이 수직식각의 결과를 가져왔는지 불명확하다.

○ 웨이퍼의 식각용 기체조성에 대하여 많은 연구들이 진행되고 있다. 여기서 말한 수직식각뿐 아니라 TEOS 등 식각의 대상층과 식각에 견뎌야하는 레지스트층에 대하여 선택성이 좋은 기체조성 등 우리의 땀과 노력을 요구하는 많은 분야가 기다리고 있다.

저자: LAM RES CORP
자료유형: 특허정보