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증가형 MOSFET에서 EMI 스펙트럼

전문가 제언: ○ 저자는 회로 모델을 유도한 다음 분석식 각항의 계수를 결정하는 데 있어서 fitting의 기법을 적용하였다. 하지만 관련되는 변수가 많고 단계가 많아 다중회귀분석(multiple regression analysis) 기법을 원용하였다. 최종 단계에 접근하면 세밀조정(tuning)의 과정을 거쳐 실측치와 가장 가까운 시뮬레이션 식을 완성하는 것이다. 제시한 시뮬레이션 모델은 상당히 정밀한 것으로 판단된다.

○ 주파수 영역에서 잡음 분석에 사용한 잡음 전력의 척도는 dBm으로 하였는데 기본 주파수를 0dBm으로 하고 고조파는 음수로 표시하였다. 따라서 고조파의 크기가 0에 가까울수록 그 고조파 성분은 큰 값임을 의미한다.

○ 현대 사회는 가정이건 도심이건 복잡한 전자회로를 내장한 제품으로 가득 차있다. 이는 종전에는 존재하지 않았던 광범위한 위험에 처해 있음을 의미한다. 미국에서는 1982년 발효한 Public Law 97-259로 FCC(Federal Communications Commission)에 소비자 전자 제품의 내성(susceptibility)을 통제하도록 권한을 주었다. 국제적으로는 IEC/ CISPR 및 TC 77, 유럽의 EN, 일본의 VCCI 등의 규격이 제정되어 시행되어 왔다

○ 우리나라에서는 전기용품안전관리법에 따라 ‘전기용품 안전기준 및 운용 요령’이 공포되었다(개정기술표준원 고시 제2006- 959호, 2006.12.28). 이 요령에 따르면 ‘전자파 적합성 안전기준’이 정의되어 있는데 이는 전자파 장해(EMI) 및 전자파 내성(EMS)에 관한 기준이다 한국전자통신연구원(ETRI) 및 EMC 기준전문위원회는 EMC 국제규격(IEC/CISPR, TC77)의 분석 결과를 CISPR 등 국제회의에 기고문으로 제출하고, 산업체 및 관련기관 등에 최신 정보 및 동향조사 결과를 제공함으로써 산업 활동을 지원하고 있다.

○ 점점 더 높아만 가는 각국의 EMI 장벽을 넘어야 전자제품의 수출이 가능할 것이다. 전자회로의 EMI 분석에 보다 분석적인 방법으로 접근할 수 있음을 이 글은 보여주고 있다.

저자: Tsai, Han-Chang; Wang, Kuo-Chang
자료유형: 학술정보