내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

알림마당

home

이온 주입 감광저항체 제거를 위한 조성과 방법

전문가 제언: ○ 이온 주입 감광저항체는 물리적 또는 화학적으로 경화되었고 탄화된 이 층은 제거가 매우 어려워 이 제거 기술은 반도체 산업에서 매우 중요하다. 마이크로일렉트로닉스 디바이스의 표면에서 이온 주입된 감광저항체 제거에 유용한 무기산 함유 조성과 그 조성 방법은 중요한 특허 청구이다. 우리도 기술 경쟁력의 우위를 지키기 위해서는 이에 적극 대처하여 보다 효율적인 감광저항체 제거 기술 개발을 필요로 한다.

○ 그동안 경화된 감광저항체를 제거하기 위하여 황산과 과산화수소의 혼합 용액에 의한 습식 화학 에칭 공정과 건식 플라스마 에칭 공정 등 다양한 공정이 사용되어 왔다. 수용성 부식액은 증발 건조 이후 장치 표면에 용질이 남게 되고 이는 전도도를 억제하고 장치의 수율을 저하시키는 단점을 갖고 있다. 이런 단점을 극복할 수 있는 무기산 조성은 이 특허 청구 내용으로서 다량의 제거에 특히 효과적이라고 판단한다.

○ 더욱이 중요한 것은 종전의 다공성 물질은 충분한 기계적 강도를 갖지 못해 물과 같은 높은 표면장력 액체의 모세관의 스트레스를 견뎌내지 못한다는 단점이 있다. 개선된 조성은 플라스마 에칭 단계 없이 그리고 기본적으로 중요한 실리콘 함유층의 과잉 에칭 없이 한 단계 또는 다단계 공정에서 벌크 및 경화된 감광저항체를 효과적으로 제거할 수 있다. 이는 발명의 중요 청구 범위로서 매우 경제적인 기술로 판단된다.

○ 마이크로일렉트로닉스 디바이스의 표면에서 벌크 및 경화된 감광저항체를 제거하는 기술은 이전 기술의 단점을 극복할 수 있는 개선된 조성과 방법으로 우리 반도체 산업도 이에 대응할 기술 개발로 적극 대처해야 한다고 본다. 이 기술은 마이크로일렉트로닉스 디바이스의 표면에서 많은 양의 감광저항체의 제거에 매우 효과적이라서 제품의 품질 및 가격 경쟁력에 크게 기여할 것으로 판단된다.

저자: Advanced Technology Material Inc.
자료유형: 특허정보