반도체 웨이퍼의 노광기술

전문가 제언

○ 반도체소자의 제조과정 중 노광(Exposure)공정은 노광기(Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진으로 찍어내는 공정이다. 이 기술은 첨단 광학기술을 기반으로 하는 반도체 노광장치에 관한 기술로 미국, EU, 일본 등 선진국의 기술 경쟁이 매우 치열하다. 이 기술은 반도체 및 액정 디바이스의 성능을 결정하는 주요 기술로 부각되고 있는 기술로, 마스크 위에 설계한 VLSI의 패턴을 반도체 웨이퍼 위에 설치하는 미세가공장치에 적용할 수 있다.

○ 선진국의 VLSI 미세 패턴 포토 리소그래피 기술 로드맵을 보면 자외선 및 전자선 광원의 파장이 2004년 ArF(193nm)에서 2010년 액침ArF(불소가스157nm)+RET로 발전하고 있으며, 2010년 이후에는 EUV(극자외13.5nm)를 이용할 것을 제시하고 있다.

– 이 기술에서 광원은 KrF 레이저광(파장 248nm), ArF 레이저광(파장 193nm), FZ 레이저광(파장 157nm)을 이용하고 있어 선진국의 첨단기술을 벤치마킹하여 노광 파장을 단축하고 해상도를 향상시키기 위한 기술 개발이 필요하다.

– 최근 45nano급 기술을 공동개발 중인 IBM과 AMD는 웨이퍼를 물속에 담그는 방식으로 노광을 진행하는 액침방식으로 비용을 최소화하면서 45nano급 공정으로 전환하는 기술개발에 몰두하고 있다.

○ 2008년 세계 반도체 시장규모는 전년 대비 120.5억 달러 증가한 2,677억 달러를 목표로 하고 있어 사상 최대 시장규모를 예상하고 있다. 2008년 세계 반도체장비 시장 예상규모는 437억 달러를 목표로 하고 있으며, 2009년 시장 성장률은 0.3%를 예상하고 있다.

저자

NIKON CORPORATION

자료유형

특허정보

원문언어

영어

기업산업분류

전기·전자

연도

2008

권(호)

WO20080059988

잡지명

PCT 특허

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

1~98

분석자

박*환

분석물

• 반도체 웨이퍼의 노광기술.pdf [274,617 byte]

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