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최첨단 FinFET 프로세스 집적화기술

전문가 제언: ○ 최근에는 디바이스 프로세스의 기술뿐만 아니라 제2게이트를 활용한 트랜지스터의 회로기술, 회로응용기술에 대하여 많은 연구가 수행되고 있다. 일본에서는 더블게이트 디바이스의 회로응용에서 2개의 게이트단자에 상이한 아날로그신호를 입력하여 아날로그믹서로서 사용할 수 있는 연구를 제안하고 있다.

○ 회로기술, 회로응용 기술에서는 트랜지스터의 특성을 동적으로 변화시켜 SRAM셀 등의 노이즈의 한계를 개선하는 연구가 수행되고 있으며, 앞으로 MOSFET의 고성능화에는 새로운 게이트전극과 게이트 절연막 재료의 개발은 필수과제이다.

○ 집적화회로가 개발된 이래 MOSFET는 축소되고 있는 경향이다. 그러나 MOSFET의 미세화는 여러 가지 저해요인이 있다. 그 중의 하나로 짧은 채널효과에 의한 소비전력의 증가를 들 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서는 소자 및 회로제작 후에 문턱전압을 자유로이 제어할 수 있는 기술이 필요하다.

○ 근래 MOSFET의 미세화로 100㎚게이트가 실용화되고 있다. 그러나 100㎚이하의 MOSFET에서는 구동능력의 개선이나 대기시의 소비전력삭감에 한계가 있어, SOI(Silicon On Insulator)기술을 도입하여 동작성능을 향상시키기 위한 연구가 수행되고 있다.

○ 더블게이트디바이스는 2개의 게이트를 이용한 가장기본적인 것이며, 또한 3단자, 4단자게이트에 대한 연구도 수행되고 있다. 그러나 앞으로 더블게이트 디바이스의 회로응용 연구를 위한 기반이 조성되고 정비될 때 보다 많은 연구가 활성화될 것으로 기대한다.

저자: Satoshi INABA
자료유형: 학술정보