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포토레지스트용 반사방지 조성

전문가 제언: ○ 전자기기들이 소형화되고 고집적화 되면서 반도체의 기억용량도 계속 커지고 있다. 반도체를 생산하는 기업들은 메모리용량을 높이는 것이 회사의 사활이 걸린 중요한 과제이다. 이 분야에서 국내의 삼성전자가 외국회사들을 앞서가는 것은 대단히 자랑할 만한 일이다.

○ 반도체의 메모리용량을 높이는 것은 실리콘웨이퍼에 얼마나 많은 선을 그릴 수 있느냐에 달려있다. 많은 선을 그리기 위해서는 선폭이 작고 해상도가 우수해야 한다. 이를 위해서는 포토레지스트가 우수해야 함은 물론 패턴을 제조할 때 기질에서 반사되는 빛을 없애야 한다. 반사광에 의하여 포토레지스트가 감광되고 결과적으로 선폭을 넓히기 때문이다.

○ 반도체용 BARC(Bottom AntiReflective Coating) 조성물은 크게 i-라인용, 딥-UV용, 193nm용이 있다. 이 중 193nm용이 특히 많이 사용되고 중요하다. BARC로서 갖추어야 할 요소로는 굴절률, 흡광계수, 접착력, 휘발성, 에칭성, 보이드 형성여부 등 고려할 것이 많다.

○ 본 발명의 제품은 193nm용 BARC 조성이다. 산무수물과 디올을 반응시킨 폴리에스테르 고분자와 산 생성물질 및 가교제로 구성된 조성물이다. 본 발명의 장점은 산무수물과 디올을 변화시켜 고분자의 물성을 조절할 수 있음은 물론 고분자에 남아 있는 프리카르복시 그룹을 이용하여 다양한 치환기를 도입할 수 있다는 점이다. 사용용도 및 회사 또는 공정에 따라 조금씩 다른 성질의 조성물을 제조하여 맞춤식 제품의 공급이 가능하다.

○ 국내에서는 동진 세미켐을 중심으로 반도체용 포토레지스트와 BARC들이 생산되어 공급되고 있다. IT 강국 한국의 명성을 유지하기 위해서는 전자회사와 소재 공급회사들이 긴밀한 협조 하에 지속적인 일등제품들을 개발해야 한다. 특히 이 분야의 기초이론정립을 위한 학계의 연구가 아쉬운 면이 있다.

저자: AZ Electronic Materials USA Corp.
자료유형: 특허정보