탄소 나노튜브와 광학재료 양자와이어의 강한 자기장에서의 열전기력

전문가 제언

○ 탄소나노튜브(CNTs: Carbon NanoTubes)와 비선형 광학재료 양자와이어(QW: Quantum Wires)를 강한 자기장에서 열전기력(TPM: Thermoelectric Power under strong Magnetic field)을 연구하였다.

○ 이론적 배경은 각기 재료에서 얻은 분산관계식으로 부터 단위 길이 당 전자농도(n1D)를 구하고 일반화된 TPM식을 이용하여 각각 재료의 TPM을 공식화하였다.

○ 수치계산을 위하여 사용된 재료는 CNT, CdGeAs2, Cd3As2, InAs, GaAs, InSb, Hg1-xCdxTe, In1-xGaxAs1-yPy, Cds, n-PbTe, PbSnTe, Pb1-xSnxSe, 응력된 InSb, n-GaP, n-PtSb2, n-GaSb, Bi이다.

○ CNT는 n1D 그리고 재료 QW는 n1D와 필름두께에 따라 TPM을 조사하였다. 재료 QW의 TPM은 전자통계 감소에 따라 양자계단(quantum step)이 증가하고 변화특성은 띠구조에 의존한다. CNT는 전자통계 증가에 대해서 TPM이 진폭이 감소하는 주기적 진동현상을 보이고 나노구조의 띠구조에 의존하고 있다.

○ 위와 같은 연구업적은 재래 홀 효과, 광발광 그리고 음극발광에 의해 에너지 띠구조를 밝힌 것에 비교하여 놀라운 결과이다.

○ TPM을 조사하는데 광발광 또는 음극발광을 겸한 TPM 연구는 더욱 깊고 넓은 재료의 띠구조를 밝혀서 다양한 광전자소자 개발에 크게 도움이 된다. 또한 액체질소 온도에서 상온에 이르기까지 다양한 온도 분위기에서 TPM 연구는 각기 온도에 적응할 수 있는 소자를 제시할 수 있다.

○ 띠 틈이 넓고 청색 발광하는 질화합물 반도체(nitride semiconductors)인 Ⅲ-Ⅴ족 이원, 삼원 GaN, InN, AlN, AlGaN 그리고 GaInN 등의 TPM 연구가 이루어져서 띠구조 조사를 통하여 청색발광 소자 제작에 큰 도움이 되기를 원한다.

저자

Ghatak, KP; Bhattacharya, S; Bhowmik, S; Benedictus, R; Choudhury, S; AF Ghatak, K. P.; Bhattacharya, S.; Bhowmik, S.; Benedictus, R.; Choudhury, S.

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

기초과학

연도

2008

권(호)

103(3)

잡지명

Journal of Applied Physics

과학기술
표준분류

기초과학

페이지

1~21

분석자

문*찬

분석물

• 탄소나노튜브와 광학재료 양자와이어의 강한 자기장에서의 열전기력.pdf [245,234 byte]

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