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칼릭스[4]레솔신아렌 유도체의 캐렉터리제이션과 리소그래피 활용

전문가 제언: ○ 산 촉매를 이용하여 광화학증폭에 의한 포토레지스트(photoresist)가 개발 된 이후 현재 248㎚(KrF 엑시머 레이저)를 광원으로 사용하는 포토레지스트(photoresist)가 반도체 산업의 리소그래피 기술로 널리 이용되어왔으며 최근 248㎚로부터 사용광원을 파장이 짧은 F2 엑시머 레이저를 사용하여 해상도를 높이려는 시도가 있으나 현재는 193㎚ 중간 파장을 가진 ArF 엑시머 레이저를 이용하는 함침 리소그래피 기술이 차세대 기술로 기대되고 있다.

○ 극자외선(EUV)인 연(軟) X-선 리소그래피도 개발되었는데 이들 첨단 리소그래피 기술들은 모두 적당한 자외선에 노출된 레지스트 고분자의 화학증폭 과정을 통하여 이루어지며 함침리소그래피기술은 공기 중이나 레지스트 필름과 렌즈 사이에 있는 물에 함침된 시료상태에서 조사광에 노출되도록 하여 시행하는 것이 특징이다.

○ 전자선 빔이나 193㎚ 함침 리소그래피로부터 얻을 수 있는 해상도는 30㎚의 선/공간에 그치는데 이 해상도를 더 높이기 위해서는 레지스트 재료의 화학증폭 능력을 향상시킬 필요가 있는데 산성 혹은 보호된 고분자매트릭스 중에서 산성생성물을 생성시켜 산 촉매를 활성화시킴으로서 해상도 저하를 막기 위해 적은 크기의 분자를 첨가하는데 이 때 고분자 대신에 비정형 유리성분(분자 유리)을 사용한다. 해상도를 30㎚ 이하로 내리려는 시도로 본고에서 다루는 칼릭스[4]레솔신아렌이나 칼릭스[6]아렌은 포토레지스의 해상도 향상에 효과가 큰 것으로 보고된 바 있다.

○ 칼릭스[4]레솔신아렌은 레솔신올과 알데히드를 축합시켜 얻을 수 있는데 메틸렌기를 통해 연결된 고리형의 4개 페놀에 8개의 히드록시를 가지고 있어 산에 민감한 기를 보호할 수 있는 능력을 가지고 있다. 본고는 필자들이 칼릭스[4]레솔신아렌의 합성, 특성 결정, 이의 리소그래피재료로서의 응용에 대한 연구결과를 보고하고 있어 반도체재료의 성능향상을 위한 반도체 제조공정에서의 해상도향상을 위해 본고는 매우 귀중한 자료를 제공하고 있다고 믿어진다.

저자: Ito, H; Nakayama, T; Sherwood, M; Miller, D; Ueda, M; AF Ito, Hiroshi; Nakayama, Tomonari; Sherwood, Mark; Miller, Dolores; Ueda, Mitsuru
자료유형: 학술정보

원문언어: 영어
기업산업분류: 화학·화공