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SnO2, ZnO 바리스터와 관련된 다결정 화합물 반도체

전문가 제언: ○ 첨가물의 작은 농도는 단순한 미세구조와 높은 비선형으로 SnO₂-기반 배리스터는 ZnO 배리스터보다 큰 이점이 있다. 짧은 열처리 사이클로 SnO₂는 ZnO보다 환경적으로 훨씬 위험도가 낮다. CoO의 적은 양으로 비옴성 특성과 퇴화방지를 이룬다. 유효장벽수가 많고 열전도도가 2배가 된다.

○ SnO₂-기반 배리스터는 재래적인 세라믹 과정으로 얻어졌다. 분말을 원판 모양으로 성형하고 압력 210 MPa으로 압착하여 약 1시간 동안 1,300℃에서 소성하였다.

○ SnO₂시료의 미세구조 균질성을 얻기 위하여 재래식 방법보다는 액상과정(liquid phase process)으로 폴리머 기판 위에, 또는 MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition)으로 알루미나 기판 위에, 또 다른 방법은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)으로 Si(100) 기판 위에 그리고 유리 기판 위에 분무 열분해(spray pyrolysis) 등으로 각각 박막을 제조할 수 있다.

○ 균질침전 에탄올-열방법(homogeneous precipitation ethanal-thermal method)으로 크기가 8-9㎚이고 높은 비표면적(high-specific surface area) 200m²/g를 갖는 SnO₂분말을 얻을 수 있다.

○ 단일 SnO₂나노와이어(nanowires)가 집속 이온빔 나노리스 그래피 기술(focused ion beam nanolithography technicque )로 좋은 특성을 가진 가스 마이크로센서(gas microsensor)를 제작할 수 있다.

○ 공진법(coprecipitation method)에 의하여 ZnO 나노 막대기, SnCl₄그리고 NaOH 수용액을 반응체계로 하여 비교적 낮은 온도에서ZnO -SnO₂복합 산화물을 제작할 수 있다.

○ SnO₂배리스터 소자의 연구 개발, 산업화에 더 많은 관심과 노력 그리고 재정적인 지원이 요구된다.

저자: Bueno, PR; Varela, JA; Longo, E; AF Bueno, Paulo R.; Varela, Jose A.; Longo, Elson
자료유형: 학술정보