내 신청현황
종류	모집공고명	진행상태
신청내용이 없습니다.

알림마당

home

MOSFET의 실리콘 칩 온도측정

전문가 제언: ○ 본 문에서는 열 설계의 기본인 정상상태의 MOSFET(Metal-Oxide- Semiconductor Field Effect Transistor) 내부의 실리콘 칩 온도 측정과 계산법에 대해 설명하고 특히 과도적으로 변하는 칩 온도를 계산하는 방법을 시뮬레이션을 통해 제안하고 있다.

○ MOSFET는 서로 반대로 연결된 2개의 한쪽 방향으로만 전류가 흐르는 다이오드로 구성되어 있다. 평형상태에서는 소스(source)와 드레인(drain)이 단절되어 그 사이에 전압이 인가되어도 전류가 흐르지 않지만 게이트에 양의 전압이 인가되면 전자가 산화물 밑으로 끌리어 간다.

– 그러나 산화물층이 절연되어 있어 게이트 쪽으로 전도되지 않는다. 이 전자들은 양쪽(소스와 드레인)에서부터 발생하여 양의 전압으로 전하의 움직임을 방해하던 장벽이 낮아지고 산화물 밑의 전자들은 역전층이 형성되어 양쪽에 전압을 인가하면 전류가 흐르게 된다.

– 게이트에 인가되는 전압에 따라 전류의 흐름을 제어할 수 있는데 게이트에 인가되는 전압이 일정 기준보다 낮으면 평형을 이루어 전류가 흐르지 않고 일정 기준보다 높으면 전류가 흐르게 된다.

○ Bardeen, Brattain, Shockley에 의해 발명되고 이로 인해 1956년 노벨상을 받게 된 트랜지스터는 BJT(Bi-polar Junction Transistor) 방식이었으나 현재는 MOSFET기술의 발명으로 대부분의 전자기기에 이용되고 있다. MOSFET기술은 MOS기술로 만들어진 단일 트랜지스터로 전도 채널이 게이트 단자로부터 절연되어 있다. 그러므로 MOSFET는 게이트에 역-전압이 인가되어도 전도하지 않는다.

○ MOSFET는 BJT보다 작은 전력으로 작동이 가능하며 전기신호증폭에 널리 이용되고 있다. MOSFET 기본 집적회로는 반도체 공학의 중요한 기술이 되었으며 향후 디지털 신호처리에서 사용되는 더욱 단순한 논리게이트로 실리콘 칩-상의 논리회로와 메모리기능을 가진 설계에 더욱더 다양하게 이용될 것이다.

저자: Jun Honda, Jorge Cerezo
자료유형: 학술정보