패키지 수지기판을 위한 무전해 동도금용 촉매본드 프로세스

전문가 제언

○ 패키지 기판에서 비아 홀은 점점 작아져가고 L/S비 또한 작아지고 있다. 이에 따라 패키지 기판을 동(銅)이나 니켈 도금을 해야 하는 경우에 프로세스 요구사항이 많다. 현재 Sn-Pd콜로이드 프로세스(Sn-Pd colloid process)법을 많이 사용하고 있지만 도금 후에 도금의 밀착성이나 도금 후에 Pd촉매를 제거하는 문제 등 어려움이 많다.

○ 이를 해결하기 위한 방법 중 하나가 여기 소개하는 CB(CatalystBond)프로세스이다. 내가 직접 실험해보지 않았지만 차후 다음 세대의 패키지 수지기판에 사용하면 확실한 장점이 많을 것으로 보인다. 그러나 원 재료에 대해서는 언급이 없어 알 수 없지만 패기지 기판을 설계하고 제작하는 회사에서 시험해 보았으면 한다.

○ CB프로세스는 촉매분자를 아주 작게 하여 균일하게 분산함으로 도금의 박막화․균일화가 가능하므로 세밀한 패턴형성에 적합하다. 더하여 특수수지에 있어서도 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 기존의 전처리 라인에서 사용 가능하며 촉매를 쓰는 량이 적기 때문에 후처리공정의 Pd 촉매 제거를 경감시킬 수 있는 장점도 있다. 이러한 특징 때문에 미세화에 대응하고 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

○ 다음 세대의 패키지 기판은 미세 패턴화나 고주파 대응 등 고성능화 될 것이므로 제조 프로세스에서도 종래 사용하여 온 유해물질의 저감 등 환경에의 배려가 점점 필요하게 된다. 여기 소개된 CB프로세스는 이러한 시장의 엄격한 요구를 충분히 만족하는 대응 프로세스로 생각한다. 이러한 프로세스 개발도 제품개발에 못지 않음을 항시 생각하여야 할 것이다.

저자

KAWAMURA TOSHIFUMI

자료유형

학술정보

원문언어

일어

기업산업분류

전기·전자

연도

2007

권(호)

46(10)

잡지명

電子材料

과학기술
표준분류

전기·전자

페이지

78~82

분석자

양*덕

분석물

• 패키지 수지기판을 위한 무전해 동도금용 촉매본드 프로세스.pdf [230,533 byte]

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