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초고속 레이저 플래시법에 의한 박막 열확산율 계측기술

전문가 제언: ○ 여기에서 언급한 박막의 열확산율 측정의 목적은 여러 전자기기 내에서 사용되는 박막의 정량적 열 설계를 위한 것이다. 우리가 관심을 갖는 부분은 이러한 박막의 열확산율 측정이 공업적으로 어떻게 적용되고 있는가이다.

– 여기서는 결론 부분에서 공업적인 응용, 즉 차세대 광가열 상변화기록 디스크를 구성하는 다층막의 열확산율, 플랫패널 디스플레이에 사용되는 투명전도막, 그리고 하드코팅막의 열확산율의 측정 등 제목만을 열거하고 있다. 이에 대한 개략적인 설명이 추가되었다면 큰 도움이 되었을 것이다.

○ 차세대 광가열 상변화기록 디스크를 구성하는 다층막의 열확산율의 측정의 내용은 다음과 같다. 즉 광가열 상변화기록 디스크에 사용되는 Ge₂Sb₂Te_5박막의 열확산율을 나노초 광가열 열반사법에 의해 측정하고 있다.

– 두 종류의 박막이 마련되었는데 하나는 Ge₂Sb₂Te_5의 단일층 박막이고, 다른 하나는 두께가 70nm의 Mo/Ge₂Sb₂Te_5/Mo의 3층 박막이며 가열 빔의 흡수층과 검출 빔의 반사막의 역할을 한다. Ge₂Sb₂Te_5의 두께는 100nm에서 400nm의 범위에서 유리기판에 막을 형성시켰다. 여기서 얻은 Ge₂Sb₂Te_5의 열확산율은 2.5×10-7m²/s였다.

○ 하드코팅 막으로서 TiN 박막이 사용되었다. 두께가 200nm에서 800nm의 범위의 두께를 가진 TiN 박막을 Ti 타깃과 Ar-N₂플라스마를 사용하여 유리기판에 스퍼터링(Sputtering)에 의해 성막(成膜)시켰다.

– 이 박막의 열확산율은 나노초 광펄스 가열 열반사법에 의해 측정되었다. 투명 도전막에 관해서는 두께 200nm에서 300nm 범위의 ITO(Indium oxide doped with Tin Oxide)의 열확산율이 나노초 광펄스 가열 열반사법에 의해 측정되었다.

저자: BABA Tetsuya
자료유형: 학술정보