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NF₃가스 및 NF₃/O₂혼합가스의 플라스마에칭에 의한 SiC표면의 평활화

전문가 제언: ○ 혼합가스 플라스마 방법에 의한 SiC 표면처리와 그의 응용기구에 관한 개요를 기술했다.

○ SiC는 열화학적 안정성이 높아서 미세가공이 곤란하기 때문에 양이온(카치온,cation)에 의한 물리적 에칭과 라디칼에 의한 화학적 에칭을 동시에 하는 플라스마 반응성 이온에칭법(reactive ion etching)을 이용하는 것이 효과적이다.

○ NF₃(Nitrogen tri-Floride) 가스를 이용한 다결정, 단결정 SiC의 반응성 이온에칭은 SiC 표면을 휘발성의 이온이나 라디칼로 분해시킴으로써 중합 막을 형성하지 않고 세정효과가 우수하다고 판단된다.

○ NF₃가스와 NF₃/O₂혼합가스 플라스마 방법은 향후 SiC 반도체 표면처리 세정 등에도 에칭효과가 우수하고, 작업의 선택범위가 넓기 때문에 친환경 건식표면처리 산업분야에 적용이 가능하고 그 수요가 날로 증가할 것으로 사료된다.

○ 혼합가스 플라스마방법으로 표면처리 에칭한 SiC표면의 카바이드 세정효과는 효과적이기 때문에, 국내 첨단 반도체 표면처리 소재로 사용이 급증 할 것으로 기대된다(시화공단의 플라스마 표면처리 상담결과, 국내의 건시표면처리기술은 습식의 폐수처리가 필요 없는 우수한 친환경 표면처리 기술로서 수요는 날로 증가하고 있다고 한다).

○ 국내의 건식에칭 표면처리업체는 약 200개 사인데, 공통적으로 표면처리물량이 해마다 줄어들고 있는 어려운 현실에 이 새로운 건식플라스마 에칭 신소재 제조기술을 반도체 표면처리기술에 적용함으로써 국산품질기술력 향상과 첨단 핵심고부가가치 첨단산업으로 전환시켜 나갈 수 있을 것으로 보인다.

저자: Akimasa Tasaka
자료유형: 학술정보