나노와이어의 화학기상성장

전문가 제언

○ 기상 에피택시 성장(VPE: Vapor Phase Epitaxy)법이나 화학기상성장(정착)(CVD: Chemical Vapor Deposition)법은 액체상태의 선구물질을 결정성장로에 넣어 기화하여 기판에 박막을 퇴적함으로써 결정을 성장하는 방법이다. 성장 로의 압력을 높게 설정하여 기체의 흐름에 편승, 원료가스를 기판근처에 도달시킨다.

○ 원료분자는 기체의 흐름 도중이나 기판표면에서 반응성이 풍부한 라디칼이 분해반응을 일으킨다. 그 결과로서 원자가 결정격자위치에 들어감으로써 결정이 성장한다. 선구물질 중 결정구성성분만이 주로 기판에 증착한다. CVD공정을 이해하는 데는 기체의 유속과 화학반응에 대한 지식이 필요하다.

○ 최근 초미세 가공기술은 급속도로 발전하고 있다. 반도체 나노단위의 가공과 형상제어는 충분히 가능하다. 최소 가공치수 300㎚의 대규모 집적회로가 실용화되고 있다. 반도체에서 전자에 대한 퍼텐셜 벽을 설정하여 작은 영역(20~30㎚)에 전자를 가두기도 하고 통과시키기도 하는 양자역학적인 터널효과에 관한 연구가 이루어지고 있다.

○ 나노와이어의 제조과정에서 가장 눈길을 끄는 대목은 FETs(field effect transistors)현상이 발견된 것이다. 기획에 의하여 만든 것이 아니고, 제품의 물성 시험에서 발견된 것으로 본다. 트랜지스터는 3개 이상의 전극을 가지고 있다. 입력전력보다 큰 출력전력을 생산하는 것이 반도체 소자이다. 일반적인 것은 p-n 접합형 트랜지스터이다.

○ Si표면에는 평면으로 전극을 설치한다. 전류전달 효율은 진로접지에서는 1보다 적으나, 이미터접지에서는 1보다 크다. 기록으로는 금속과 반도체의 점접촉에 트랜지스터가 사용되었다. 반도체에 다수의 담체흐름을 제어하기 위하여 FETs가 필요하나 입력저항이 높은 특징을 가지고 있다.

저자

Colli, A; Fasoli, A; Beecher, P; Servati, P; Pisana, S; Fu, Y; Flewitt, AJ; Milne, WI; Robertson, J; Ducati, C; De Franceschi, S; Hofmann, S; Ferrari, AC; AF Colli, A.; Fasoli, A.; Beecher, P.; Servati, P.; Pisana, S.; Fu, Y.; Flewitt, A. J.; Milne, W. I.

자료유형

학술정보

원문언어

영어

기업산업분류

기초과학

연도

2007

권(호)

102(3)

잡지명

Journal of Applied Physics

과학기술
표준분류

기초과학

페이지

1~13

분석자

박*학

분석물

• 나노와이어의 화학기상성장.pdf [234,321 byte]

이미지변환중입니다.