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전장유기 저항변화형 메모리 재료

전문가 제언: ○ 반도체 산업계의 희망은 2020년경에 우표 크기의 반도체 칩에 1조 비트를 저장할 수 있는 메모리 디바이스를 만드는 것이다.

○ 차세대 메모리는 모두 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 고집적성과 낮은 소비전력 특성, 플래시 메모리의 비휘발성, SRAM(Static RAM)의 고속 작동을 결합하려는 시도가 이루어지고 있다.

○ 현재 비휘발성 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM (Phase change RAM), RRAM(Resistance RAM) PoRAM (Polymer RAM) 등이 있으며, 이 외에도 MRAM(Magnetoresistive RAM), FeRAM(Ferroelectric RAM), 스핀트로닉스(spintronics) 소자 등도 많은 연구가 진행 중이다.

○ Katsufuji는 전장유기 저항변화형 메모리, RRAM 재료에 관심을 갖고 물리학자로서 물리학적 측면에서 RRAM을 기본으로 하는 전기저항의 스위칭(switching) 현상에 대하여 기초적 부분을 해설하고 있다.

○ 그는 스위칭 현상의 최초 발견으로부터 전기저항 스위칭 현상의 물리 (1) 및 (2)로 나누어 상세히 리뷰하고, 전기저항 스위칭 현상의 기구는 계면 부근의 산소 이온의 이동에 의하여 격자에 결함이 생성되어 그것이 전자 전도에 영향을 주는 것이라고 생각하였다.

○ 또한 그는 RRAM의 불휘발성 메모리로서의 특성을 볼 때, 향후 RRAM 재료의 개발은 ON/OFF비 등의 특성보다도 특성의 “안전성” 쪽이 중요한 요소가 될 것이라고 충고하고 있다.

저자: Takuro Katsufuji
자료유형: 학술정보